Документация
Транзистор MJE15032G
У поставщика
У поставщиков
516 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:516 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 84,85 |
| от 27 | 78,56 |
| от 50 | 73,42 |
| от 150 | 69,58 |
| от 250 | 66,70 |
Описание
Транзистор MJE15032G от ON Semiconductor — мощный NPN-биполярный прибор, предназначенный для работы в линейных и импульсных схемах. Отличается высоким коэффициентом усиления и широкой областью безопасной работы, что делает его подходящим для аудиоусилителей, источников питания и драйверов нагрузки. Компонент выпускается в корпусе TO-220 и рассчитан на продолжительную эксплуатацию в условиях повышенных токов.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Ib max | 2.0A |
| Напряжение база-эмиттер вкл | Ic 1A vce 5V: 1.0V max |
| Ic peak | 16A |
| Маркировка | MJE1503xG |
| Корпус | TO-220 (TO-220AB) |
| Vcb max | 250V |
| Veb max | 5.0V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Тип корпуса | TO-220, Style 1 |
| Derate case | 0.40W/°C |
| Esd ratings | Machine Model C, Human Body Model 3B |
| Артикул | MJE15032G |
| Комплементарный аналог | MJE15033 |
| Ic continuous | 8.0A |
| Derate ambient | 0.016W/°C |
| Vce saturation | Ic 1A ib 0 1A: 0.5V max |
| Коэф. усиления DC | At ic 1A vce 5V: 50 min; At ic 2A vce 5V: 10 min; At ic 0 5A vce 5V: 70 min |
| Vceo sustaining min | 250V |
| Power dissipation case | 50W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Power dissipation ambient | 2.0W |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Описание (англ.) | NPN 250V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Current gain bandwidth product | 30 MHz min (500mA, 10V) |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?