+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Транзистор MJE15032

Артикул:103208
У поставщика
ПроизводительISC
КатегорияТранзисторы
Ед. изм.шт
У поставщиков
72 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:66 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 165,66
от 6260,45
от 10357,53
от 17055,20
от 28353,42
Склад 13
В наличии:6 шт
Срок поставки: до недели
Минимальная партия: 12 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 159,95
от 1958,79
от 3857,22
от 7655,04
от 15152,42
Описание

Транзистор MJE15032 производства ISC — это мощный кремниевый NPN-транзистор, предназначенный для использования в усилительных и переключательных схемах. Компонент рассчитан на работу с высокими токами и напряжениями, что делает его подходящим для выходных каскадов усилителей мощности и источников питания. Отличается высокой надёжностью и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики
F t30MHz
T j150°C
ТипNPN
I cbo10μA
I ebo10μA
T stg-65~150°C
V cbo250V
V ceo250V
V ebo5V
H fe 150
H fe 250
H fe 310
I base2A
R th ja62.5°C/W
R th jc2.5°C/W
V be on1.0V
I c peak16A
P c ta252W
P c tc2550W
V ce sat0.5V
КомпонентMJE15032
V ceo sus250V
Описаниеisc Silicon NPN Power Transistor
Применениеhigh-frequency drivers in audio amplifiers
КорпусTO-220AB
F t conditionsIC=0.5A, VCE=10V, f=1.0MHz
I c continuous8A
H fe conditionsH fe 1: IC=0.5A, VCE=5V; H fe 2: IC=1A, VCE=5V; H fe 3: IC=2A, VCE=5V
I cbo conditionsVCB=150V, IE=0
I ebo conditionsVEB=5V, IC=0
Complementary typeMJE15033
V be on conditionsIC=1A, VCE=5V
V ce sat conditionsIC=1A, IB=0.1A
V ceo sus conditionsIC=10mA, IBB=0
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Описание (англ.)TRANS NPN 250V 8A TO220AB
Тип монтажаВыводной

Заметили ошибку в описании или параметрах?