Документация
Транзистор MJE15030G
У поставщика
У поставщиков
190 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:190 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 158,30 |
| от 14 | 148,03 |
| от 27 | 139,66 |
| от 50 | 133,41 |
| от 150 | 128,77 |
Описание
Транзистор MJE15030G от ON Semiconductor — это мощный NPN-биполярный транзистор, предназначенный для работы в аудиоусилителях и линейных источниках питания. Компонент выполнен в корпусе TO-220 и отличается высокой скоростью переключения и низким напряжением насыщения. Подходит для применения в схемах с высокими требованиями к линейности и надежности.
Технические характеристики
| Ib | 2.0A |
| Vcb | 150V |
| Veb | 5.0V |
| RoHS | Да |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 150V |
| Ft мин. | 30MHz |
| Rth JA | 62.5°C/W |
| Rth jc | 2.5°C/W |
| Ic peak | 16A |
| Корпус | TO-220AB |
| Без свинца | Да |
| Pd ta25 | 2.0W |
| Pd tc25 | 50W |
| Tj tstg | -65 to +150°C |
| Icbo макс. | 10µA |
| Макс. ток коллектор-эмиттер | 0.1mA |
| Макс. IEBO | 10µA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | NPN |
| Напряжение поддержания коллектор-эмиттер | 150V |
| Компонент | MJE15030G |
| Кол-во выводов | 3 |
| Vbe on max | 1.0V |
| Описание | NPN Complementary Silicon Plastic Power Transistor |
| Hfe min ic2 | 40 |
| Hfe min ic3 | 40 |
| Hfe min ic4 | 20 |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V |
| Hfe min ic01 | 40 |
| Pd derate ta | 0.016W/°C |
| Pd derate tc | 0.40W/°C |
| Ic continuous | 8.0A |
| Комплементарный PNP | MJE15031G |
| Hfe linearity typ | 2 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 150V 8A TO220AB |
Заметили ошибку в описании или параметрах?