Документация
Транзистор MJD44H11T4G
У поставщика
У поставщиков
2 628 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 18,62 |
| от 20 | 18,09 |
| от 40 | 17,57 |
| от 80 | 17,18 |
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:2 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 16,08 |
РадиоЧип
В наличии:128 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 18,62 |
| от 20 | 18,09 |
| от 40 | 17,57 |
| от 80 | 17,18 |
Описание
Транзистор биполярный NPN MJD44H11T4G от JSMSEMI. Выдерживает напряжение до 80 В, постоянный ток до 8 А и импульсный до 15 А при мощности 50 Вт. Выполнен в поверхностном корпусе TO-252 (DPAK). Подходит для коммутации нагрузки и усилительных каскадов в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Ices | 10 µA |
| Iebo | 100 µA |
| Тип | NPN Power Transistor |
| Vceo | 80V |
| Vebo | 5V |
| Макс. Pc | 50W |
| Ic peak | 15A |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Hfe min 1 | 60 at Ic=2A, Vce=1V |
| Hfe min 2 | 40 at Ic=4A, Vce=1V |
| Размеры | { "body_width": "5.70-6.30 mm", "body_height": "2.10-2.50 mm", "body_length": "6.30-6.90 mm", "total_length": "9.60-10.50 mm" } |
| Артикул | MJD44H11T4G |
| Ic continuous | 8A |
| Vbe saturation | 1.5V max at Ic=8A, Ib=0.8A |
| Vce saturation | 1.0V max at Ic=8A, Ib=0.4A |
| Выходная емкость | 130 pF typical at Vcb=10V, f=1MHz |
| Частота перехода | 50 MHz typical at Ic=0.5A, Vce=10V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 6.5 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 75 °C/W |