Документация
Транзистор MJD32CT4G
У поставщика
У поставщиков
2 500 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 43,37 |
| от 50 | 39,68 |
| от 100 | 36,65 |
| от 200 | 34,37 |
| от 399 | 32,67 |
Описание
Транзистор MJD32CT4G от ON Semiconductor — это мощный PNP-биполярный транзистор в компактном корпусе DPAK для поверхностного монтажа. Предназначен для применения в схемах управления нагрузкой, линейных стабилизаторах и усилителях мощности. Отличается низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и высокой нагрузочной способностью, что обеспечивает эффективную коммутацию.
Технические характеристики
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Без свинца | Да |
| Ток базы | 1A |
| Комплементарный к | MJD31C |
| Автомобильный | Нет |
| Collector current peak | 5A |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.8V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Esd ratings machine model | >400V |
| Small signal current gain | 20 |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Dc current gain hfe max 3a | 50 |
| Dc current gain hfe min 1a | 25 |
| Dc current gain hfe min 3a | 10 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 100V |
| Непрерывный ток коллектора | 3A |
| Esd ratings human body model | >8000V |
| Total power dissipation case | 15W |
| Описание (англ.) | PNP 100V 3A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 100V |
| Current gain bandwidth product | 3MHz |
| Lead temperature for soldering | 260°C |
| Total power dissipation ambient | 1.56W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 8.3°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2V |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 80°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?