Документация
Транзистор MJD31CT4G
У поставщика
У поставщиков
1 137 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 137 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 53,90 |
| от 43 | 49,47 |
| от 86 | 45,85 |
| от 172 | 43,13 |
| от 343 | 41,09 |
Описание
Транзистор биполярный MJD31CT4G от ON Semiconductor. Это NPN-компонент средней мощности, рассчитанный на ток до 3 А и напряжение до 100 В. Выполнен в компактном корпусе DPAK для поверхностного монтажа. Подходит для схем коммутации нагрузки и усилителей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Ib max | 1A |
| Ic peak | 5A |
| Маркировка | J31CG |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип монтажа | SMD |
| VCBO макс. | 100V |
| Vceo макс. | 100V |
| Vebo макс. | 5V |
| Без свинца | Да |
| Vbe on max | 1.8V |
| Derate case | 0.12W/°C |
| Esd mm class | C |
| Esd hbm class | 3B |
| Ic continuous | 3A |
| Derate ambient | 0.012W/°C |
| Соотв. RoHS | Да |
| Vce saturation max | 1.2V |
| Dc current gain min 1A | 25 |
| Power dissipation case | 15W |
| Dc current gain range 3A | 10-50 |
| Мин. частота перехода | 3MHz |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -65°C |
| Power dissipation ambient | 1.56W |
| Температура пайки выводов | 260°C |
| Small signal current gain min | 20 |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 8.3°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 80°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?