+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MJD31CT4
Документация

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 15 Вт

Артикул:816115
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 845 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 845 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 147,23
от 4643,30
от 9240,08
от 18337,65
от 36535,85
Описание

Биполярный NPN-транзистор MJD31CT4 от STMicroelectronics рассчитан на напряжение до 100 В и ток до 3 А при мощности 15 Вт. Выпускается в компактном корпусе DPAK (TO-252AA) для поверхностного монтажа. Подходит для применения в импульсных источниках питания, драйверах нагрузки и схемах промышленной автоматики.

Технические характеристики
Граничная частота fT3MHz min
Ib1.0A
Корпус369C-01
ТипNPN Bipolar Power Transistor
Напряжение коллектор-база Vcbo100V
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo100V
Напряжение эмиттер-база Vebo5.0V
Стиль1
ESD (мм)C
Rth JA80°C/W
Rth jc8.3°C/W
Напряжение база-эмиттер вкл1.8V max
ЭСР HBM3B
Ic peak5.0A
КорпусDPAK (TO-252)
Pd ta251.56W
Pd tc2515W
Tj tstg-65 to +150°C
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2V max
Hfe ic1a25 min
Hfe ic3a10 min, 50 max
Макс. ток коллектор-эмиттер50µA
Ices max20µA
Макс. IEBO1mA
Тип монтажаSMD
Напряжение поддержания коллектор-эмиттер100V
КомпонентMJD31CT4
Derate ta0.012W/°C
Derate tc0.12W/°C
УпаковкаTape and Reel (T4 suffix)
Кол-во выводов3
Similar toTIP31C
ОписаниеComplementary Power Transistors, DPAK For Surface Mount Applications
Покрытие выводовPb-Free, RoHS Compliant
PPAPДа
Tl soldering260°C
Ic continuous3.0A
Ul flamabilityUL 94 V-0 @ 0.125 in
Hfe small signal20 min
Комплементарный PNPMJD32C
АвтомобильныйAEC-Q101
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Описание (англ.)TRANS NPN 100V 3A DPAK

Заметили ошибку в описании или параметрах?