Документация
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 007 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 007 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 64,27 |
| от 35 | 59,24 |
| от 70 | 55,12 |
| от 140 | 52,03 |
| от 279 | 49,71 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор MJD3055T4G от ON Semiconductor. Выдерживает напряжение до 60 В и ток до 10 А, выпускается в компактном корпусе DPAK-3. Подходит для схем коммутации нагрузки и усилительных каскадов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Примечания | Pulse test: pulse width ≤ 300µs, duty cycle ≤ 2%; RθJA rating applies when surface mounted on minimum pad sizes recommended; safe area curves indicated by Figure 1 |
| Корпус | DPAK (CASE 369C) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Без свинца | Pb-Free |
| Упаковка | Tape & Reel, 2500 units |
| Описание | NPN complementary power transistor, DPAK for surface mount applications, designed for general purpose amplifier and low speed switching |
| Артикул | MJD3055T4G |
| Применение | General purpose amplifier; low speed switching |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Соотв. RoHS | Да |
| Предельные значения | ESD (мм): Class C; ЭСР HBM: Class 3B; Ток базы: 6A; Ток коллектора: 10A; Напряжение эмиттер-база: 5V; Напряжение коллектор-база: 70V; Напряжение коллектор-эмиттер: 60V; Диап. темп. хр.: -55 to +150°C; Диапазон темп. перехода: -55 to +150°C; Power dissipation at case 25c: 20W; Derate power at case above 25c: 0.16 W/°C; Power dissipation at ambient 25c: 1.75W; Derate power at ambient above 25c: 0.014 W/°C |
| Complementary pair | MJD2955 (PNP) |
| Тепл. хар-ки | Тепл. сопр. переход-корпус: 6.25 °C/W; Термосопротивление переход-среда: 71.4 °C/W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Электрические характеристики | Коэф. усиления DC: 20-100 at IC=4A, VCE=4V; 5 min at IC=10A, VCE=4V; Напряжение насыщения база-эмиттер: 1.8V max at IC=4A, VCE=4V; Ток отсечки эмиттера Iebo: 0.5mA max at VBE=5V, IC=0; Ток отсечки коллектора Icbo: 0.02mA max at VCB=70V, IE=0; 2mA max at TC=150°C; Ток отсечки коллектора ICEO: 50µA max at VCE=30V, IB=0; Collector cutoff current icex: 0.02mA max at VCE=70V, VEB(off)=1.5V; 2mA max at TC=150°C; Current gain bandwidth product: 2MHz min at IC=500mA, VCE=10V, f=500kHz; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.1V max at IC=4A, IB=0.4A; 8V max at IC=10A, IB=3.3A; Напряжение коллектор-эмиттер: 60V min at IC=30mA, IB=0 |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 60V 10A DPAK |
Заметили ошибку в описании или параметрах?