Документация
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 042 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 042 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 97,85 |
| от 8 | 95,93 |
| от 16 | 93,29 |
| от 32 | 89,26 |
| от 64 | 83,62 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор Дарлингтона от ON Semiconductor. Рассчитан на напряжение до 100 В, ток до 8 А и мощность 20 Вт. Выполнен в компактном корпусе DPAK (TO-252AA) для поверхностного монтажа. Подходит для применения в промышленной автоматике и силовых коммутационных узлах.
Технические характеристики
| Тип | PNP Darlington |
| Ib max | 120mA |
| Ic peak | 16A |
| Корпус | DPAK |
| Vcb max | 100V |
| Veb max | 5V |
| Особенности | Lead Formed for Surface Mount, Surface Mount Replacement for TIP125-TIP127 series, Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors, High DC Current Gain, Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Тип монтажа | SMD |
| Vceo макс. | 100V |
| Корпус | CASE 369C |
| Ic continuous | 8A |
| Vbe on max 4a | 2.8V |
| Vbe sat max 8a | 4.5V |
| Vce sat max 4a | 2V |
| Vce sat max 8a | 4V |
| Модель машины ЭСР | >400V |
| Выходная емкость | 300pF |
| Темп. хранения | -65 to 150°C |
| ESD HBM | >8000V |
| Power dissipation case | 20W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Power dissipation ambient | 1.75W |
| Small signal current gain | 300 |
| Dc current gain hfe max 4a | 12000 |
| Dc current gain hfe min 4a | 1000 |
| Dc current gain hfe min 8a | 100 |
| Описание (англ.) | TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK |
| Current gain bandwidth product | 4MHz |
| Рабочая температура перехода | -65 to 150°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 6.25°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 71.4°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?