Документация
MJD127T4 TO-252 (DPAK) транзистор биполярный RUME (арт. 269817)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
12 500 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:12 500 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,16 |
Описание
Транзистор биполярный MJD127T4 от RUME в корпусе TO-252 (DPAK) предназначен для поверхностного монтажа. Компонент относится к классу силовых ключей средней мощности и используется в цепях управления нагрузкой. Подходит для применения в импульсных источниках питания, драйверах и коммутационных схемах.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar transistor (PNP Darlington) |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | MJD127T4 |
| Производитель | RUME |
| Макс. коэф. усиления DC | 15000 |
| Hfe мин. | 2000 |
| Internal resistor r1 | 7.5kΩ |
| Internal resistor r2 | 200Ω |
| Maximum collector current | 2A |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -4V |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 2.5mA |
| Emitter base cutoff current min | 1.3mA |
| Макс. ток отсечки К-Б | 1µA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | -150V |
| Collector base breakdown voltage typ | -260V |
| Collector emitter cutoff current max | 1µA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -100V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -100V |
| Collector emitter breakdown voltage typ | -150V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -1.8V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | -1.2V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?