Документация
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
5 025 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 025 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 39,76 |
| от 161 | 36,89 |
| от 322 | 34,97 |
| от 644 | 33,28 |
| от 1 287 | 32,14 |
Описание
Биполярный составной транзистор NPN от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 100 В и токе до 8 А, выполнен в компактном корпусе DPAK (TO-252AA). Применяется в промышленной автоматике и силовых цепях коммутации нагрузки.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 4MHz |
| Ib | 120mA |
| Vcb | 100V |
| Veb | 5V |
| Корпус | 369C |
| Ppap | Да |
| RoHS | Да |
| Тип | NPN Darlington |
| Ul94 | V-0 @ 0.125 in |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 100V |
| Стиль | 1 |
| ESD (мм) | >400V |
| Rth JA | 71.4°C/W |
| Rth jc | 6.25°C/W |
| ЭСР HBM | >8000V |
| Ic peak | 16A |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Pd ta25 | 1.75W |
| Pd tc25 | 20W |
| Tj tstg | -65 to +150°C |
| Aec q101 | Да |
| Icbo макс. | 10µA |
| Макс. ток коллектор-эмиттер | 10µA |
| Макс. IEBO | 2mA |
| Тип монтажа | SMD |
| Напряжение поддержания коллектор-эмиттер | 100V |
| Компонент | MJD122T4 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Cob mjd122 | 200pF |
| Cob mjd127 | 300pF |
| Описание | NPN Darlington Power Transistor |
| Vbe on ic4a | 2.8V |
| Без галогенов | Да |
| Hfe max ic4a | 12000 |
| Hfe min ic4a | 1000 |
| Hfe min ic8a | 100 |
| Pd derate ta | 0.014W/°C |
| Pd derate tc | 0.16W/°C |
| Ic continuous | 8A |
| Hfe small signal | 300 |
| Комплементарный PNP | MJD127 |
| Vbe sat ic8a ib80ma | 4.5V |
| Vce sat ic4a ib16ma | 2V |
| Vce sat ic8a ib80ma | 4V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | NPN Darlington 100V 8A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?