+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MJD117T4
Документация

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Артикул:767438
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
68 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:68 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 12 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 166,02
от 3260,95
от 6456,81
от 12753,71
от 25451,38
Описание

Биполярный PNP-транзистор составного типа (Дарлингтон) от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 100 В, токе до 2 А и рассеивает мощность 20 Вт. Выполнен в компактном корпусе DPAK/TO-252AA. Применяется в промышленной автоматике и устройствах управления нагрузкой.

Технические характеристики
ТипBipolar Transistor
Ib max50mA
Напряжение база-эмиттер вклIc: 2A; Max: 2.8V; Vce: 3V
Ic peak4A
КорпусDPAK-3
Без свинцаДа
Vcb max100V
Veb max5V
Icbo макс.20 µA
Макс. ток коллектор-эмиттер20 µA
Макс. IEBO2 mA
Тип монтажаSMD
ПолярностьPNP
Vceo макс.100V
Similar toTIP32 series
КонфигурацияDarlington
Derating case0.16 W/°C
Ic continuous2A
Соотв. RoHSДа
Vbe saturationIb: 40mA; Ic: 4A; Max: 4V
Vce saturationIb: 8mA; Ic: 2A; Max: 2V, Ib: 40mA; Ic: 4A; Max: 3V
Коэф. усиления DCIc: 0.5A; Max: 12000; Min: 500; Vce: 3V, Ic: 2A; Max: —; Min: 1000; Vce: 3V, Ic: 4A; Max: —; Min: 200; Vce: 3V
Derating ambient0.014 W/°C
Выходная емкостьMax: 200; Примечание: for MJD117; Единица: pF; Условия теста: F: 0.1 MHz; Ie: 0; Vcb: 10V
Vceo sustaining min100V
Частота переходаMin: 25; Единица: MHz; Условия теста: F: 1 MHz; Ic: 0.75A; Vce: 10V
Power dissipation case20W
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Power dissipation ambient1.75W
Диап. темп. хр.-65 to +150°C
Описание (англ.)PNP Darlington 100V 2A
Тепловое сопр. переход-корпус6.25 °C/W
Макс. темп. перехода150°C
Мин. темп. перехода-65°C
Тепловое сопротивление переход-среда71.4 °C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?