Документация
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 918 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 918 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 62,40 |
| от 63 | 57,94 |
| от 125 | 54,40 |
| от 249 | 51,29 |
| от 497 | 49,20 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор Дарлингтона от ON Semiconductor. Рассчитан на напряжение до 100 В и ток до 2 А, выпускается в компактном корпусе DPAK (TO-252AA) для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузок и усилительных каскадов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Darlington power transistor |
| Маркировка | J112G |
| Корпус | DPAK-3 (Case 369C/369D, TO-252) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Компонент | MJD112T4G |
| Форма вывода | Lead formed for surface mount applications; straight lead version with -1 suffix |
| Технология | Silicon |
| Применение | General purpose power and switching, output or driver stages, switching regulators, converters, power amplifiers |
| Ток базы | 50mA |
| Комплементарный аналог | MJD117 |
| Lead free rohs | Pb-Free, RoHS Compliant |
| Коэф. усиления DC | Max at 2A VCE 3V: 12000; Min at 2A VCE 3V: 1000; Min at 4A VCE 3V: 200; Min at 0.5A VCE 3V: 500 |
| Выходная емкость | 100pF @VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| Пиковый ток коллектора | 4A |
| Напряжение коллектор-база | 100V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Max 2A VCE 3V: 2.8V |
| Electrically similar to | TIP31/TIP32 series |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 100V |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 2mA @VBE=5V, IC=0 |
| Ток коллектора непрерывный | 2A |
| Описание (англ.) | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 20uA @VCB=100V, IE=0; 10uA @VCB=80V, IE=0 |
| Ток отсечки коллектора ICEO | 20uA @VCE=50V, IB=0 |
| Power dissipation at case 25c | 20W |
| Current gain bandwidth product | 25MHz @IC=0.75A, VCE=10V, f=1MHz |
| Напр. нас. база-эмиттер | Max 4A IB 40mA: 4V |
| Power dissipation at ambient 25c | 1.75W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 6.25°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Max 2A IB 8mA: 2V; Max 4A IB 40mA: 3V |
| Термосопротивление переход-среда | 71.4°C/W |
| Power dissipation derate above 25c case | 0.16W/°C |
| Power dissipation derate above 25c ambient | 0.014W/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?