+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MGFC36V5258-51
Документация

MGFC36V5258-51, свч транзистор GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8

Артикул:1208218
У поставщика
ПроизводительMitsubishi
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 112 316,50
от 211 230,15
Описание

СВЧ-транзистор Mitsubishi MGFC36V5258-51 на арсениде галлия (GaAs FET) с внутренним согласованием. Работает в диапазоне 5.2–5.8 ГГц, выдаёт выходную мощность 4 Вт (36 дБм) с типовым усилением 10 дБ. Выполнен в герметичном металлокерамическом корпусе GF-8 для монтажа в отверстия. Применяется в усилителях мощности для радиорелейной связи и спутниковых передатчиков.

Технические характеристики
ТипGaAs FET internally matched
КорпусGF-8 metal-ceramic hermetically sealed
Тип монтажаTHT
Lead count3
Power gain10dB typ
Вых. мощность4W (36dBm typ)
Название компонентаMGFC36V5258-51
Диап. частот5.2-5.8GHz
Размеры упаковки21.0mm (length) x 17.0mm (width)
Transconductance typ2S
Linear power gain min9dB
Linear power gain typ10dB
Power added efficiency32% typ
Forward gate current max21mA
Reverse gate current max-10mA
Drain current recommended1.2A
Gate resistor recommended100ohm
Диап. темп. хр.-65 to +175°C
Absolute max drain current2.8A
Drain current operating max1.4A
Drain current operating typ1.1A
Saturated drain current max2.8A
Saturated drain current typ2.0A
Gate drain breakdown voltage-15V
Gate source breakdown voltage-15V
Gate source cutoff voltage max-2V
Gate source cutoff voltage min-4V
Absolute max channel temperature175°C
Drain source voltage recommended10V
Output power 1dB compression min35dBm
Output power 1dB compression typ36dBm
Thermal resistance channel case max6°C/W
Thermal resistance channel case typ5°C/W
Absolute max total power dissipation25W

Заметили ошибку в описании или параметрах?