Документация
MGF0918A-03, GaAs FET транзистор 1.9ГГц 3Вт 27дБ/мВт, корпус GF-50
У поставщика
ПроизводительMitsubishi
У поставщиков
230 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:230 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 300 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 817,65 |
| от 30 | 744,27 |
Описание
Транзистор MGF0918A-03 от Mitsubishi — это GaAs FET N-канальный транзистор с затвором Шоттки. Работает на частоте 1,9 ГГц, обеспечивает типовую выходную мощность 27 дБм (3 Вт) и линейное усиление 20 дБ. Выполнен в герметичном SMD-корпусе GF-50 для поверхностного монтажа. Применяется в усилителях мощности L и S-диапазонов.
Технические характеристики
| Тип | GaAs FET N-channel Schottky Gate |
| Корпус | GF-50 Hermetic SMD non-matched |
| Hermetic | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Применение | L & S band power amplifiers |
| Артикул | MGF0918A-03 |
| Gate resistor | 1kΩ |
| Ширина корпуса | 2.5mm |
| Quality grade | GG |
| Frequency band | L & S band |
| Длина корпуса | 4.0mm |
| Тестовая частота | 1.9GHz |
| Delivery options | Tape & Reel (1000 pcs), Tray (50 pcs) |
| Output power min | 25dBm |
| Output power typ | 27dBm |
| Bias current drain | 150mA |
| Bias voltage drain | 10V |
| Transconductance typ | 130mS |
| Linear power gain typ | 20dB |
| Thermal resistance max | 50°C/W |
| Thermal resistance typ | 35°C/W |
| Channel temperature max | 175°C |
| Диап. темп. хр. | -65 to 175°C |
| Absolute max drain current | 400mA |
| Power added efficiency typ | 35% |
| Saturated drain current max | 400mA |
| Saturated drain current typ | 300mA |
| S parameters frequency range | 600MHz to 12200MHz |
| Gate source cutoff voltage max | -5V |
| Gate source cutoff voltage min | -1V |
| Gate source cutoff voltage typ | -3V |
| Absolute max gate drain voltage | -15V |
| Absolute max gate source voltage | -15V |
| Absolute max forward gate current | 5.0mA |
| Absolute max reverse gate current | -1.2mA |
| Absolute max total power dissipation | 3W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?