Документация
Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В
У поставщика
ПроизводительTechSem
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 263,99 |
| от 2 | 2 244,81 |
| от 3 | 2 221,97 |
| от 4 | 2 193,84 |
| от 5 | 2 157,37 |
Описание
Полумостовой IGBT-модуль MGC75D12A1-251H3 от TechSem рассчитан на напряжение 1200 В и ток 150 А. Компонент выполнен в прочном корпусе для надежной работы в тяжелых условиях. Применяется в преобразователях частоты, сварочном оборудовании и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Вес | 150g |
| Корпус | 251H3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 400ns |
| Время нарастания | 200ns |
| Применение | Inverter for Motor Drive, AC and DC Servo Drive Amplifier, Uninterruptible Power Supply, Industrial machines |
| Время включения | 500ns |
| Время выключения | 1000ns |
| Circuit diagram | Half-bridge IGBT module |
| Вх. емкость | 6.0nF |
| Напр. изоляции | 3000V |
| Forward voltage 25c | 1.80V to 2V |
| Forward voltage 125c | 1.95V |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Время обратного восстановления | 250ns to 350ns |
| Screw torque mounting | 6.0N·m |
| Screw torque terminals | 4.0N·m |
| Thermal resistance fwd | 0.58°C/W |
| Thermal resistance igbt | 0.31°C/W |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Pulsed collector current | 150A |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Диап. темп. хр. | -40°C to 125°C |
| Contact thermal resistance | 0.050°C/W |
| Мощн. коллектора | 390W |
| Continuous collector current | 75A |
| Gate emitter leakage current | ±0.2μA |
| Описание (англ.) | IGBT Module half-bridge 1200V 150A |
| Gate emitter threshold voltage | 4.5V to 8.5V |
| Zero gate voltage collector current | 1mA |
| Collector emitter saturation voltage 25c | 1.95V to 2.20V |
| Collector emitter saturation voltage 125c | 2.30V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?