+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MGC75D12A1-251H3
Документация

Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В

Артикул:842091
У поставщика
ПроизводительTechSem
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 12 311,66
от 22 292,08
от 32 268,74
от 42 240,03
от 52 202,79
Описание

Полумостовой IGBT-модуль MGC75D12A1-251H3 от TechSem рассчитан на напряжение 1200 В и ток 150 А. Компонент выполнен в прочном корпусе для надежной работы в тяжелых условиях. Применяется в преобразователях частоты, сварочном оборудовании и промышленной автоматике.

Технические характеристики
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Описание (англ.)IGBT Module half-bridge 1200V 150A

Заметили ошибку в описании или параметрах?