Документация
Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
У поставщика
ПроизводительTechSem
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 857,19 |
| от 2 | 2 833,50 |
| от 3 | 2 805,33 |
| от 4 | 2 770,70 |
| от 5 | 2 725,85 |
Описание
Полумостовой IGBT-модуль MGC50D12A1-251H3 от TechSem рассчитан на ток 50 А и напряжение 1200 В. Компонент выполнен в прочном корпусе и поставляется россыпью. Применяется в силовых преобразователях, частотных приводах и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | IGBT Module half-bridge 1200V 50A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?