Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 43А 50Вт
У поставщика
ПроизводительMAP
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
437 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:437 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 39,42 |
| от 20 | 36,74 |
| от 40 | 34,22 |
| от 100 | 32,36 |
| от 200 | 30,66 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от производителя MAP. Рассчитан на напряжение 40 В, ток до 43 А и мощность 50 Вт, выпускается в корпусе D-Pak (TO-252). Подходит для цепей управления питанием и защиты от обратной полярности в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Trench MOSFET |
| Корпус | DPAK (TO252) |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | MDD3752RH |
| Rohs status | Halogen Free |
| Тип. время спада | 19.8ns |
| Тип. время нарастания | 17.8ns |
| Avalanche energy | 128mJ |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | -40V |
| Gate leakage current | ±0.1μA max |
| Импульсный ток стока | -90A |
| Тип. заряд затвор-сток | 9.3nC |
| Тип. входная емкость | 2088pF |
| Мощн. рас. 25°C | 50W |
| Тип. заряд затвора | 44.1nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 8.6nC |
| Выходная емкость тип. | 290pF |
| Power dissipation 100c | 20W |
| Время задержки вкл. тип. | 17.6ns |
| Время задержки выкл. тип. | 59.0ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Тип. время восст. | 40ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.0V |
| Тип. пороговое Uзи | -2.0V |
| Тип. заряд восст. | 40nC |
| Длительный ток стока 25°C | -43A |
| Forward transconductance typ | 40S |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 40 V, 43 A, 50 W |
| Непрерывный ток стока 100°C | -27A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -40V min |
| Zero gate voltage drain current | -1μA max |
| Обр. проходная емкость тип. | 168pF |
| Drain source on resistance vgs 10v | 17mΩ max |
| Drain source on resistance vgs 4 5v | 25mΩ max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Source drain diode forward voltage max | 1.2V |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?