Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 8.0 mOhm
У поставщика
ПроизводительMAP
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
248 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:248 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 75,05 |
| от 11 | 70,62 |
| от 22 | 66,45 |
| от 44 | 63,38 |
| от 100 | 60,55 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от производителя MAP. Компонент рассчитан на напряжение 40 В, ток до 50 А и сопротивление открытого канала 8.0 мОм, выпускается в корпусе DPAK/TO-252AA. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Trench MOSFET |
| Корпус | TO-252 (D-PAK, 3L) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-Channel |
| Упаковка | Tape & Reel |
| Артикул | MDD1752 |
| Rohs status | Halogen Free |
| Производитель | MagnaChip Semiconductor Ltd. |
| Заряд сток-затвор | Typ: 6.8nC; Condition: V_DS=20V, I_D=14A, V_GS=10V |
| Вх. емкость | Typ: 1480pF; Condition: V_DS=20V, V_GS=0V, f=1.0MHz |
| Полный заряд затвора | Typ: 26.4nC; Condition: V_DS=20V, I_D=14A, V_GS=10V |
| Время нарастания | Typ: 21ns; Condition: V_GS=10V, V_DS=20V, I_D=1A, R_GEN=6Ω |
| Заряд затвор-исток | Typ: 3.6nC; Condition: V_DS=20V, I_D=14A, V_GS=10V |
| Выходная емкость | Typ: 243pF; Condition: V_DS=20V, V_GS=0V, f=1.0MHz |
| Время спада | Typ: 18ns; Condition: V_GS=10V, V_DS=20V, I_D=1A, R_GEN=6Ω |
| Время задержки включения | Typ: 9ns; Condition: V_GS=10V, V_DS=20V, I_D=1A, R_GEN=6Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | Typ: 31ns; Condition: V_GS=10V, V_DS=20V, I_D=1A, R_GEN=6Ω |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Gate leakage current | Max: 0.1μA; Condition: V_GS=±20V, V_DS=0V |
| Импульсный ток стока | 100A |
| Gate threshold voltage | Max: 3.0V; Min: 1.0V; Typ: 1.7V; Condition: V_DS=V_GS, I_D=250μA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | Typ: 58S; Condition: V_DS=5V, I_D=14A |
| Диап. темп. хр. | -55~150°C |
| Drain source on resistance | V GS=10V I D=14A: Max: 8.0mΩ; Typ: 6.1mΩ; V GS=4.5V I D=11A: Max: 10.5mΩ; Typ: 8.2mΩ |
| Диапазон темп. перехода | -55~150°C |
| Power dissipation case 25c | 45W |
| Обратная проходная емкость | Typ: 113pF; Condition: V_DS=20V, V_GS=0V, f=1.0MHz |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 40V 50A 8.0 mOhm |
| Power dissipation ambient 25c | 3.1W |
| Энергия одиноч. импульса | 153mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | Min: 40V; Condition: I_D=250μA, V_GS=0V |
| Zero gate voltage drain current | Max: 1μA; Condition: V_DS=32V, V_GS=0V |
| Body diode reverse recovery time | Typ: 26ns; Condition: I_F=14A, di/dt=100A/μs |
| Continuous drain current case 25c | 50A |
| Body diode reverse recovery charge | Typ: 11nC; Condition: I_F=14A, di/dt=100A/μs |
| Source drain diode forward voltage | Max: 1.2V; Typ: 0.8V; Condition: I_S=14A, V_GS=0V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.8°C/W |
| Continuous drain current ambient 25c | 15.2A |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?