Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 8.0 mOhm
У поставщика
ПроизводительMAP
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
242 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт72,40 ₽
Сумма724,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии242 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 11 — 68,13 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 724,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 576,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 724,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от производителя MAP. Компонент рассчитан на напряжение 40 В, ток до 50 А и сопротивление открытого канала 8.0 мОм, выпускается в корпусе DPAK/TO-252AA. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Trench MOSFET |
| Корпус | TO-252 (D-PAK, 3L) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-канальный |
| Упаковка | Лента и катушка |
| Артикул | MDD1752 |
| Статус RoHS | Halogen Free |
| Производитель | MagnaChip Semiconductor Ltd. |
| Заряд сток-затвор | Typ: 6.8nC; Condition: V_DS=20V, I_D=14A, V_GS=10V |
| Вх. емкость | Typ: 1480pF; Condition: V_DS=20V, V_GS=0V, f=1.0MHz |
| Полный заряд затвора | Typ: 26.4nC; Condition: V_DS=20V, I_D=14A, V_GS=10V |
| Время нарастания | Typ: 21ns; Condition: V_GS=10V, V_DS=20V, I_D=1A, R_GEN=6Ω |
| Заряд затвор-исток | Typ: 3.6nC; Condition: V_DS=20V, I_D=14A, V_GS=10V |
| Выходная емкость | Typ: 243pF; Condition: V_DS=20V, V_GS=0V, f=1.0MHz |
| Время спада | Typ: 18ns; Condition: V_GS=10V, V_DS=20V, I_D=1A, R_GEN=6Ω |
| Время задержки включения | Typ: 9ns; Condition: V_GS=10V, V_DS=20V, I_D=1A, R_GEN=6Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | Typ: 31ns; Condition: V_GS=10V, V_DS=20V, I_D=1A, R_GEN=6Ω |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Ток утечки затвора | Max: 0.1μA; Condition: V_GS=±20V, V_DS=0V |
| Импульсный ток стока | 100A |
| Пороговое напряжение затвора | Max: 3.0V; Min: 1.0V; Typ: 1.7V; Condition: V_DS=V_GS, I_D=250μA |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | Typ: 58S; Condition: V_DS=5V, I_D=14A |
| Диап. темп. хр. | -55~150°C |
| Сопротивление сток-исток | V GS=10V I D=14A: Max: 8.0mΩ; Typ: 6.1mΩ; V GS=4.5V I D=11A: Max: 10.5mΩ; Typ: 8.2mΩ |
| Диапазон темп. перехода | -55~150°C |
| Рассеиваемая мощность при корпусе 25 °C | 45W |
| Обратная проходная емкость | Typ: 113pF; Condition: V_DS=20V, V_GS=0V, f=1.0MHz |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 40V 50A 8.0 mOhm |
| Power dissipation ambient 25c | 3.1W |
| Энергия одиноч. импульса | 153mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | Min: 40V; Condition: I_D=250μA, V_GS=0V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | Max: 1μA; Condition: V_DS=32V, V_GS=0V |
| Время обратного восстановления диода | Typ: 26ns; Condition: I_F=14A, di/dt=100A/μs |
| Continuous drain current case 25c | 50A |
| Заряд обратного восстановления диода | Typ: 11nC; Condition: I_F=14A, di/dt=100A/μs |
| Source drain diode forward voltage | Max: 1.2V; Typ: 0.8V; Condition: I_S=14A, V_GS=0V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.8°C/W |
| Continuous drain current ambient 25c | 15.2A |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?