+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MCR100-8G
Документация

Тиристор MCR100-8G

Артикул:152835
У поставщика
ПроизводительWEIDA
КатегорияТиристоры
Ед. изм.шт
У поставщиков
4 000 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:4 000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 2003,51
Описание

Тиристор MCR100-8G от WEIDA — чувствительный SCR в корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Выдерживает обратное напряжение до 800 В и ток в открытом состоянии 0,8 А, с низким током удержания 2 мА. Подходит для схем управления в бытовой электронике и маломощных блоках питания.

Технические характеристики
ТипSensitive SCR
КорпусSOT-223-3L
Тип монтажаSMD
АртикулMCR100-8G
Ток удержания2mA
Peak gate power0.5W
Latching current3mA
On state voltage1.5V
Dimensions sot223{ "a_max": "1.8mm", "a_min": "1.5mm", "b_max": "3.1mm", "b_min": "2.9mm", "c_max": "0.32mm", "c_min": "0.22mm", "d_max": "6.7mm", "d_min": "6.3mm", "e_max": "3.7mm", "e_min": "3.3mm" }
Peak gate current0.2A
Gate trigger current20μA to 200μA
Gate trigger voltage0.5V to 1.0V
I2t value for fusing0.5A²s
Rms on state current0.8A
Диап. темп. хр.-40°C to 150°C
Gate trigger voltage max 110c0.2V
Off state leakage current 25c5μA
Average gate power dissipation0.1W
Off state leakage current 110c100μA
Повторяющееся импульсное обратное напряжение800V
Repetitive peak off state voltage800V
Тепл. сопр. переход-корпус25°C/W
Диапазон темп. перехода-40°C to 110°C
Critical rate of rise of on state current50A/μs
Critical rate of rise of off state voltage20V/μs
Non repetitive surge peak on state current8A