+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MCP6V02-E/SN
Документация

Операционный усилитель MCP6V02-E/SN

Артикул:115472
Нет в наличии
ПроизводительMicrochip
КатегорияМикросхемы
Ед. изм.шт
Описание

Микросхема операционного усилителя MCP6V02-E/SN от MICROCHIP (ATMEL) выполнена в корпусе SOIC-8. Устройство работает от напряжения 1,8 до 5,5 В, имеет Rail-to-Rail вход и выход, низкое напряжение смещения до ±2 мкВ и высокий коэффициент подавления синфазного сигнала. Подходит для прецизионных измерительных схем, промышленной автоматики и портативных устройств.

Технические характеристики
КорпусSOIC-8
Cmrr min130dB
Особенностиrail-to-rail input/output, unity gain stable, no 1/f noise
Тип монтажаSMD
Psrr min130dB
Cmrr typical142dB
Выводы корпуса8
Psrr typical143dB
Входное сопротивление10^13Ω || 6pF
Slew rate typical0.5V/µs
Мин. коэффициент усиления без ОС130dB
Макс. напр. пит.5.5V
Мин. напр. пит.1.8V
Number of amplifiers2
Output voltage swingVss+15mV to Vdd-15mV
Phase margin typical65°
Start up time typical500µs
Open loop gain typical145dB
Por trip voltage range1.15V to 1.65V
Макс. напряжение смещения±2µV
Вх. ток смещ. тип.±1pA
Диап. раб. темп.-40°C to +125°C
Типовой входной ток смещения-30pA
Gain bandwidth product typical1.3MHz
Input bias current at 125c max5000pA
Input offset voltage drift max±50nV/°C
Common mode input voltage rangeVss-0.2V to Vdd+0.2V
Intermodulation distortion typical<1µV
Input noise current density typical0.6fA/√Hz
Quiescent current per amplifier max400µA
Quiescent current per amplifier min200µA
Input noise voltage 0 01 1hz typical0.79µVp-p
Input noise voltage 0 1 10hz typical2.5µVp-p
Input offset current at 125c typical-75pA
Output overdrive recovery time typical100µs
Offset correction settling time typical300µs
Quiescent current per amplifier typical300µA
Input noise voltage density 100khz typical45nV/√Hz
Input noise voltage density low freq typical120nV/√Hz
Output short circuit current vdd 1 8v typical±7mA
Output short circuit current vdd 5 5v typical±22mA