+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Драйвер MOSFET 6A 8SOIC MCP1407T-E/SN

Артикул:947892
У поставщика
ПроизводительMicrochip
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
975 шт.
Норм. уп.: 3300
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:975 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3300
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1115,90
от 20107,81
от 40101,21
от 8096,28
от 16092,61
Описание

Драйвер MOSFET MCP1407T-E/SN от Microchip рассчитан на выходной ток до 6 А. Выполнен в компактном корпусе SOIC8 и сохраняет работоспособность в диапазоне температур от -40°C до +125°C. Подходит для управления силовыми транзисторами в импульсных источниках питания и промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипSingle MOSFET Driver
КорпусSOIC-8
ОсобенностиLow shoot-through current, Matched rise/fall times, Latch-up resistant, Pin compatible with TC4420/TC4429
Тип монтажаSMD
Время спада20ns typical, 30ns max (with 2500pF load)
Время нарастания20ns typical, 30ns max (with 2500pF load)
Описание6A High-Speed Power MOSFET Driver, non-inverting
АртикулMCP1407T-E/SN
СовместимостьTTL/CMOS (3V to 18V)
Delay time d140ns typical, 55ns max
Delay time d240ns typical, 55ns max
Вх. ток-10µA to +10µA (0V ≤ VIN ≤ VDD)
Защита от ЭСР мм400V
Вх. емкость25pF (effective)
Device orientationNon-inverting output (MCP1407)
ESD защита HBM2kV
Макс. напр. пит.18V
Мин. напр. пит.4.5V
Диап. вх. напр.-5V to VDD+0.3V
Пиковый выходной ток6A (typical)
Capacitive load drive2500pF in 20ns, 6800pF in 40ns
Output resistance low1.5Ω typical, 2.5Ω max (at 18V, 10mA)
Output resistance high2.1Ω typical, 2.8Ω max (at 18V, 10mA)
Power dissipation soic0.83W (at TA≤70°C)
Supply current logic 035µA typical, 100µA max (VIN=0V)
Supply current logic 1130µA typical, 250µA max (VIN=3V)
Input logic low voltage0.8V max
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Input logic high voltage2.4V min
Макс. темп. перехода+150°C
Continuous output current1.3A (TO-220 and DFN-S packages only)
Диап. темп. хр.-65°C to +150°C
Диап. раб. темп.-40°C to +125°C
Описание (англ.)MOSFET DVR 6A 8SOIC
Latch up protection reverse current1.5A
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Thermal resistance junction to top soic3.2°C/W
Thermal resistance junction to board soic60.7°C/W
Thermal resistance junction to ambient soic96.3°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?