Документация
4 элемента 2И-НЕ, 14-SOIC MC74LCX00DG
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
204 шт.
Норм. уп.: 55
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:204 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 55
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17,85 |
| от 55 | 17,09 |
| от 165 | 16,10 |
| от 275 | 14,96 |
| от 550 | 13,96 |
Описание
Микросхема логического элемента 2И-НЕ от ON Semiconductor. Четыре независимых канала, корпус 14-SOIC, рабочее напряжение до 3,6 В. Подходит для промышленной автоматики и цифровых устройств.
Технические характеристики
| Маркировка | LCX00G |
| Корпус | SOIC-14 |
| Функция | Quad 2-Input NAND Gate |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 14 |
| Тип входа | TTL Compatible |
| Технология | Low-Voltage CMOS |
| Тип выхода | Push-Pull |
| Без галогенов | Да |
| Логическое семейство | LCX |
| Logic function | NAND |
| Соотв. RoHS | Да |
| Inputs per gate | 2 |
| Число затворов | 4 |
| Модель машины ЭСР | >200V |
| Макс. вх. напр. | 5.5V |
| Низкий выходной ток | 24mA (VCC=3.0-3.6V), 12mA (VCC=2.7-3.0V), 8mA (VCC=2.3-2.7V) |
| Размеры упаковки | CASE 751A (SOIC-14) |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 2.0V |
| Напряжение питания тип. | 2.5V, 3.3V |
| Latchup current min | 500mA |
| Output current high | -24mA (VCC=3.0-3.6V), -12mA (VCC=2.7-3.0V), -8mA (VCC=2.3-2.7V) |
| Автомобильный | Нет |
| Dc input voltage max | 7.0V |
| Dc input voltage min | -0.5V |
| ESD HBM | >2000V |
| Output compatibility | LVTTL, LVCMOS |
| Диап. вых. напр. | 0V to VCC |
| Dc output voltage max | VCC+0.5V |
| Dc output voltage min | -0.5V |
| Dc supply voltage max | 7.0V |
| Dc supply voltage min | -0.5V |
| Тип. входная емкость | 7pF |
| Выходная емкость тип. | 8pF |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. ток утечки входа | 5uA |
| Макс. раб. темп. | 85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Output to output skew max | 1.0ns |
| Dc input diode current max | -50mA |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Propagation delay time max | 5.5ns (VCC=3.3V), 6.2ns (VCC=2.7V), 6.6ns (VCC=2.5V) |
| Propagation delay time min | 1.5ns |
| Dc output diode current max | -50mA (VO<GND), +50mA (VO>VCC) |
| Макс. входное низкое напряжение | 0.7V (2.3V-2.7V), 0.8V (2.7V-3.6V) |
| Dynamic low peak voltage max | 0.8V (VCC=3.3V), 0.6V (VCC=2.5V) |
| Мин. Uвх высокого уровня | 1.7V (2.3V-2.7V), 2.0V (2.7V-3.6V) |
| Low level output voltage max | 0.2V (at 100uA), 0.6V (at 8mA, VCC=2.3V), 0.4V (at 12mA, VCC=2.7V), 0.4V (at 16mA, VCC=3.0V), 0.55V (at 24mA, VCC=3.0V) |
| Макс. ток покоя | 10uA |
| Описание (англ.) | GATE NAND 4CH 2-INP 14-SOIC |
| High level output voltage min | VCC-0.2V (at -100uA), 1.8V (at -8mA, VCC=2.3V), 2.2V (at -12mA, VCC=2.7V), 2.4V (at -18mA, VCC=3.0V), 2.2V (at -24mA, VCC=3.0V) |
| Increase in icc per input max | 500uA |
| Power off leakage current max | 10uA |
| Dynamic low valley voltage min | -0.8V (VCC=3.3V), -0.6V (VCC=2.5V) |
| Dc output source sink current max | 50mA |
| Ground current per ground pin max | 100mA |
| Power dissipation capacitance typ | 25pF |
| Supply current per supply pin max | 100mA |
| Input transition rise fall rate max | 10ns/V |
| Рабочая температура | -40В°C ~ 85В°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?