Документация
4 элемента 2ИЛИ-НЕ, 14-SOIC MC74AC02DR2G
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
480 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:480 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 48,82 |
| от 26 | 47,71 |
| от 52 | 46,21 |
| от 104 | 44,14 |
| от 207 | 41,80 |
Описание
Логический элемент 2ИЛИ-НЕ от ON Semiconductor. Микросхема содержит четыре независимых вентиля с двумя входами каждый, выполнена в компактном корпусе 14-SOIC. Рабочий диапазон температур от -40 до +85 °C. Подходит для построения цифровых схем в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-14 |
| Функция | Quad 2-Input NOR Gate |
| Тип монтажа | SMD |
| Код корпуса | 751A-03 |
| Покрытие выводов | Pb-Free |
| Логическое семейство | 74AC |
| Низкий выходной ток | 24mA |
| Макс. напр. пит. | 6.0V |
| Мин. напр. пит. | 2.0V |
| Класс горючести | UL 94 V-0 |
| Диап. вх. напр. | 0 to VCC |
| Output current high | -24mA |
| Защелка | ±100mA |
| Диап. вых. напр. | 0 to VCC |
| Примечание | ЛЕ1 |
| Макс. рассеиваемая мощность | 125mW |
| Тепловое сопротивление JA | 125°C/W |
| Типовое питание | 5.0V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Типовая входная емкость | 4.5pF |
| Макс. ток утечки входа | ±1.0μA |
| Макс. раб. темп. | 85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Propagation delay tphl max | 7.0ns |
| Propagation delay tphl min | 1.0ns |
| Propagation delay tplh max | 6.5ns |
| Propagation delay tplh min | 1.0ns |
| Esd withstand machine model | >200V |
| Макс. входное низкое напряжение | 1.35V |
| Мин. Uвх высокого уровня | 3.15V |
| Low level output voltage max | 0.44V |
| Макс. ток покоя | 40μA |
| Описание (англ.) | GATE NOR 4CH 2-INP 14-SOIC |
| High level output voltage min | 3.76V |
| Esd withstand human body model | >2000V |
| Esd withstand charged device model | >1000V |
| Power dissipation capacitance typical | 30pF |
| Рабочая температура | -40В°C ~ 85В°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?