Документация
MC33262DR2G, SO-8
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
2 153 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 153 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 63,12 |
| от 20 | 63,12 |
Описание
Микросхема корректора коэффициента мощности MC33262DR2G от ON Semiconductor в корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа. Работает при напряжении питания до 30 В, обеспечивает выходной ток до 500 мА и максимальную рассеиваемую мощность 450 мВт. Встроенные функции включают защиту от перенапряжения, блокировку при пониженном напряжении и ограничение тока по циклам. Применяется в импульсных источниках питания, светодиодных драйверах и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | SOIC-8 |
| Особенности | Overvoltage Comparator, Internal Startup Timer, One Quadrant Multiplier, Zero Current Detector, Trimmed 2% Internal Bandgap Reference, Totem Pole Output with High State Clamp, Undervoltage Lockout with 6.0V Hysteresis, Low Startup and Operating Current, Cycle-by-Cycle Current Limiting, Quickstart Circuit |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | MC33262DR2G |
| Описание | Power Factor Correction - PFC Critical Mode PFC w/OVP |
| Модель машины ЭСР | 200V |
| Multiplier gain max | 0.87 1/V |
| Multiplier gain min | 0.43 1/V |
| ESD HBM | 2000V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 450mW |
| Zener voltage typical | 36V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Esd charged device model | 2000V |
| Power supply voltage max | 30V |
| Supply current startup max | 0.4mA |
| Производитель | ONS |
| Restart timer delay typical | 620µs |
| Supply current operating max | 12mA |
| Output current source sink max | 500mA |
| Supply current dynamic typical | 9mA |
| Operating ambient temperature max | 105°C |
| Operating ambient temperature min | -40°C |
| Current sense comparator delay max | 400ns |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Output fall time with 1nF load max | 120ns |
| Output rise time with 1nF load max | 120ns |
| Thermal resistance junction to air | 178°C/W |
| Undervoltage lockout hysteresis max | 6.2V |
| Undervoltage lockout hysteresis min | 3.8V |
| Current sense comparator delay typical | 200ns |
| Output fall time with 1nF load typical | 50ns |
| Output rise time with 1nF load typical | 50ns |
| Overvoltage comparator threshold ratio | 1.08 |
| Error amplifier line regulation typical | 1.0mV |
| Zero current detector threshold typical | 1.6V |
| Error amplifier transconductance typical | 100µmho |
| Zero current detector hysteresis typical | 200mV |
| Error amplifier reference voltage typical | 2.5V |
| Maximum current sense input threshold max | 1.8V |
| Maximum current sense input threshold min | 1.3V |
| Output low state voltage at 20mA sink max | 0.8V |
| Undervoltage lockout startup threshold max | 14.5V |
| Undervoltage lockout startup threshold min | 11.5V |
| Error amplifier reference voltage tolerance | 2% |
| Undervoltage lockout shutdown threshold max | 9.0V |
| Undervoltage lockout shutdown threshold min | 7.0V |
| Output high state voltage at 20mA source min | 9.8V |
| Output high state voltage at 20mA source typical | 10.3V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?