Документация
Микросхема MC33151DR2G
У поставщика
У поставщиков
4 483 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 483 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 89,45 |
| от 77 | 84,09 |
| от 154 | 80,49 |
| от 307 | 77,34 |
| от 614 | 75,20 |
Описание
Микросхема MC33151DR2G от ON Semiconductor представляет собой высокоскоростной драйвер MOSFET с двумя независимыми каналами. Предназначена для управления силовыми транзисторами в импульсных источниках питания и преобразователях. Отличается малым временем переключения и способностью работать с высокими пиковыми токами, что обеспечивает эффективное управление затворами.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 200V |
| ESD CDM | 1500V |
| ЭСР HBM | 2000V |
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Halide free | Да |
| Тип выхода | totem pole |
| Ток в режиме ожидания | 10mA max |
| Input hysteresis | Да |
| Время спада выхода | 30ns max at 1nF load |
| Время нарастания выхода | 30ns max at 1nF load |
| Рабочий ток | 15mA max at 100kHz, 1nF load |
| Количество каналов | 2 |
| Размеры упаковки | SOIC-8 (case 751) |
| Logic compatibility | CMOS/LSTTL |
| Undervoltage lockout | with hysteresis |
| Power dissipation pdip | 1.0W at TA=50°C |
| Power dissipation soic | 0.56W at TA=50°C |
| Propagation delay fall | 100ns max |
| Propagation delay rise | 100ns max |
| Diode clamp current max | 1.0A |
| Input current low state | 100uA max |
| Logic input voltage max | VCC |
| Logic input voltage min | -0.3V |
| Диап. раб. напр. | 6.5V to 18V |
| Output sink current max | 1.5A |
| Thermal resistance pdip | 100°C/W |
| Thermal resistance soic | 180°C/W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Input current high state | 500uA max |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Output voltage low state | 1.2V max at 10mA, 1.5V max at 50mA, 2.5V max at 400mA |
| Power supply voltage max | 20V |
| Output source current max | 1.5A |
| Output voltage high state | 10.5V min at 10mA, 10.4V min at 50mA, 9.5V min at 400mA |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Output pulldown resistance | 100kOhm |
| Input threshold voltage low | 0.8V min |
| Диап. раб. темп. | -40°C to +85°C |
| Input threshold voltage high | 2.6V max |
| Описание (англ.) | MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC |
| Рабочая температура | -40В°C ~ 85В°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?