Документация
Микросхема MC1413DR2G
У поставщика
У поставщиков
2 276 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 276 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 56,02 |
| от 24 | 54,81 |
| от 48 | 53,18 |
| от 95 | 50,90 |
| от 189 | 48,29 |
Описание
Микросхема MC1413DR2G от ON Semiconductor — это сборка из семи транзисторных ключей Дарлингтона. Рабочее напряжение до 50 В, выходной ток до 500 мА на канал, корпус SOIC-16. Применяется в промышленной автоматике для управления реле, шаговыми двигателями и светодиодными индикаторами.
Технические характеристики
| Тип | DC-DC Преобразователи |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Описание | High Voltage, High Current Darlington Transistor Array, 7 channels |
| Артикул | MC1413DR2G |
| Корпус | SOIC-16 |
| Задержка включения | 0.25µs typ, 1.0µs max |
| Input resistor | 2.7kΩ |
| Задержка выключения | 0.25µs typ, 1.0µs max |
| Модель машины ЭСР | 400V |
| Вх. емкость | 15pF typ, 30pF max |
| Макс. вх. напр. | 30V |
| Количество каналов | 7 |
| Макс. выходное напряжение | 50V |
| Размеры упаковки | 9.80-10.00mm x 3.80-4.00mm x 1.35-1.75mm |
| Hfe мин. | 1000 |
| ESD HBM | 2000V |
| Esd charged device model | 1500V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Input current on condition | 0.93mA typ, 1.35mA max at VI=3.85V |
| Input voltage on condition | 2.4V max at IC=200mA, 2.7V at 250mA, 3.0V at 300mA |
| Макс. ток утечки | 50µA (25°C), 100µA (85°C) |
| Base current continuous max | 25mA |
| Clamp diode forward voltage | 1.5V typ, 2.0V max at IF=350mA |
| Internal suppression diodes | Да |
| Диап. раб. темп. | -20 to +85°C |
| Clamp diode leakage current max | 50µA (25°C), 100µA (85°C) at VR=50V |
| Макс. пост. ток коллектора | 500mA |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 20°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1V typ, 1.6V max at IC=350mA, IB=500µA |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?