+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Сегнетоэлектрическое ОЗУ MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

Артикул:1020687
У поставщика
ПроизводительRAMXEED
У поставщиков
217 шт.
Норм. уп.: 1500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:217 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1500
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1125,41
от 19116,76
от 38109,70
от 75104,44
от 150100,51
Описание

Сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) от RAMXEED объёмом 64 Кбит. Работает при напряжении от 1,8 до 3,6 В с частотой шины I2C до 3,4 МГц. Выполнено в корпусе SOIC-8. Подходит для систем промышленной автоматики и устройств, требующих энергонезависимого хранения данных с высокой скоростью записи.

Технические характеристики
КорпусSOIC-8
ИнтерфейсI2C (two-wire serial)
Кол-во выводов8
ОписаниеFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip
Объем памяти64 Kbit
Тип памятиFeRAM
ПроизводительRAMXEED Limited
Тип монтажаSMD
Sleep current4 µA (Typ)
Сохранение данных19.1 years @ 105°C, 70.4 years @ 85°C
Соотв. RoHSДа
Ток в режиме ожидания8 µA (Typ)
Bit configuration8,192 words x 8 bits
Рабочий ток170 µA (Typ @3.4 MHz)
Рабочее напряжение1.8V to 3.6V
Write protect pinДа
Max devices on bus8
Device address pins3
Рабочая частота3.4 MHz (Max @HIGH SPEED MODE), 1 MHz (Max @FAST MODE PLUS)
Read write endurance10^13 times / byte
Programming wait timeNot required
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Артикул производителяMB85RC64TA
Pull up resistor requiredДа
Диап. раб. темп.-40°C to +105°C
Описание (англ.)64Kbit 1.8V~3.6V 3.4MHz I2C FRAM Memory

Заметили ошибку в описании или параметрах?