Документация
Диодный мост MB10S
У поставщика
У поставщиков
220 170 шт.
Норм. уп.: 300
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт1,70 ₽
Сумма499,80 ₽
В наличии65 961 шт
от 294 штюрлицам и ИП
от 2 200 — 1,36 ₽ (−20%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии145 537 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 250,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 396 штюрлицам и ИП
продаётся от 396 штпри 396 — 1,75 ₽
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии8 600 шт
от 3 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 3 000 штпри 3 000 — 0,92 ₽
294 шт · Склад 39 · 499,80 ₽
Описание
Диодный мост MB10S от HOTTECH. Компонент рассчитан на ток до 0,8 А и обратное напряжение 1000 В, выполнен в компактном корпусе MBS для поверхностного монтажа. Подходит для выпрямления напряжения в блоках питания бытовой электроники и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | Transfer Molded Epoxy |
| Тип | Surface Mount Bridge Rectifier |
| Серия | MB05S-MB10S |
| Вес | 0.24 |
| Ток, А | 0.8 A |
| В упаковке | 40*36*36/42000 |
| Корпус | MBS (MiniDip) |
| Напряжение, В | 1000 V |
| Габариты | 4,7 x 4 x 2,5 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MB10S |
| Размах выводов | 7.0 mm |
| Клеммы | Plated leads solderable per MIL-STD-750 Method 2026 |
| Ширина корпуса | 4.2 mm |
| Размеры | Ширина: 0.193in (4.9mm); Высота: 0.106in (2.7mm); Ширина мин.: 0.177in (4.5mm); Высота, мин.: 0.090in (2.3mm); Шаг выводов: 0.067in (1.7mm); Ширина вывода: 0.031in (0.8mm); Макс. длина: 0.275in (7mm); Толщина вывода: 0.014in (0.35mm); Мин. ширина вывода: 0.019in (0.5mm); Мин. толщина вывода: 0.006in (0.15mm) |
| Номинал I²t | 5.0 A²s |
| Шаг выводов | 2.7 mm |
| Высота корпуса | 1.7 mm |
| Длина корпуса | 4.9 mm |
| Описание | Surface Mount Bridge Rectifier |
| Артикул | MB10S |
| Среднеквадратичное напряжение | 700V |
| Производитель | GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD |
| Материал корпуса | Transfer Molded Epoxy |
| UL признан | Да |
| Прямое напряжение | 1.0V at 0.5A |
| Положение монтажа | любой |
| Напряжение блокировки DC | 1000V |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Макс. RMS напряжение | 700V |
| Обратный ток при 25°C | 5.0 µA |
| I2t rating condition | t < 8.3ms |
| Емкость перехода | 13 pF |
| Обратный ток при 100°C | 500 µA |
| Номинал I²t плавления | 5.0A²s |
| Конфигурация | 1-фазный мост |
| Прямое напряжение | @IF=0.5A |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150 °C |
| Maximum ratings conditions | Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% |
| Имп. прямой ток | 30A |
| Прямое напряжение на элемент | 1.0V |
| Макс. DC блокирующее напряжение | 1000V |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150 °C |
| Условия теплового сопротивления | On aluminum substrate PCB with area 0.8in x 0.8in (20x20mm) mounted on 0.05in x 0.05in (1.3x1.3mm) solder pad |
| Макс. обратный ток DC при 25 °C | 5.0µA |
| Макс. обратный ток DC, 100 °C | 500µA |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1000V |
| Средний выпрямленный выходной ток | 0.8A |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 20 °C/W |
| Maximum dc reverse current condition | at Rated DC Blocking Voltage |
| Typical junction capacitance per leg | 13pF |
| Макс. повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1000V |
| Термосопротивление переход-среда | 70 °C/W |
| Условия типовой ёмкости перехода | Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55°C to +150°C |
| Неповтор. импульсный ток | 30A |
| Условия среднего выпрямленного тока | @TA=40°C |
| Тип. тепловое сопротивление переход-вывод | 20°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 70°C/W |
| Non repetitive peak forward surge current condition | 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) |
| Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 1000 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.8 |
| Обратное напряжение, В | 1000 |
| Прямой ток, А | 0,8 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?