Документация
Симистор 800В 8А 5мА 4Q MAC228A10G
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
267 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:267 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 54,96 |
| от 14 | 53,62 |
| от 27 | 51,76 |
| от 54 | 48,98 |
| от 107 | 45,51 |
Описание
Симистор MAC228A10G от ON Semiconductor — это чувствительный управляемый ключ для цепей переменного тока. Компонент рассчитан на напряжение до 800 В и ток до 8 А, выпускается в стандартном корпусе TO-220AB. Благодаря низкому току управления (5 мА) и работе во всех четырёх квадрантах, он подходит для схем промышленной автоматики и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | Triac |
| Цоколевка | 1=MT1, 2=MT2, 3=Gate, 4=MT2 (tab) |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | MAC228A10G |
| Частота | 50-60Hz |
| Размеры | A 14.48-15.75mm, B 9.66-10.53mm, C 4.07-4.83mm, D 0.64-0.96mm, F 3.61-4.09mm, G 2.42-2.66mm, H 2.80-4.10mm, J 0.36-0.61mm, K 12.70-14.27mm, L 1.15-1.52mm, N 4.83-5.33mm, Q 2.54-3.04mm, R 2.04-2.79mm, S 1.15-1.39mm, T 5.97-6.47mm, U 0.00-1.27mm, V 1.15mm, Z 2.04mm max |
| Описание | Sensitive Gate Triac, bidirectional thyristor, 800V, 8A, 4-quadrant triggering |
| Соотв. RoHS | Pb-Free, RoHS compliant |
| Ток удержания | 15mA max |
| Момент затяжки | 8.0 in lb |
| Peak gate power | 20W |
| Blocking current | 10µA max at 25°C; 2.0mA max at 110°C |
| Commutating di dt | 4.1A/ms |
| Peak gate current | ±2.0A |
| Peak gate voltage | ±10V |
| Average gate power | 0.5W |
| Circuit fusing i2t | 26 A²s |
| Темп. хранения | -40 to 150°C |
| On state rms current | 8.0A at TC=80°C |
| Peak on state voltage | 1.8V max at ITM=±11A |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Gate non trigger voltage | 0.2V min, all quadrants, TC=110°C |
| Voltage rating vdrm vrrm | 800V |
| Температура пайки выводов | 260°C for 10s, 1/8 inch from case |
| Gate controlled turn on time | 1.5µs typ |
| Описание (англ.) | TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220AB |
| Рабочая температура перехода | -40 to 110°C |
| Gate trigger current quadrant IV | 10mA max |
| Gate trigger voltage quadrant IV | 2.5V max |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.0°C/W |
| Peak non repetitive surge current | 80A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Gate trigger current quadrant I II III | 5.0mA max |
| Gate trigger voltage quadrant I II III | 2.0V max |
| Critical rate of rise off state voltage dv dt | 25V/µs min at TC=110°C |
| Critical rate of rise commutation voltage dv dt c | 5.0V/µs min at TC=80°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?