Документация
М1623РТ1А, (1990-97г)
У поставщика
ПроизводительТранзистор
У поставщиков
130 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:130 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 035,00 |
| от 2 | 828,00 |
| от 20 | 724,50 |
Описание
Микросхема памяти М1623РТ1А производства «Транзистор» — это статическое ОЗУ (SRAM) объемом 16 Кбит с организацией 2048x8. Работает при напряжении питания 5 В, выполнена в корпусе 210Б.24-1 (24-pin DIP) для монтажа в отверстия. Применяется в промышленной автоматике и вычислительной технике.
Технические характеристики
| Analog | HM6616 |
| Корпус | 210Б.24-1 (24-pin DIP) |
| Тип монтажа | THT |
| Организация | 2048x8 |
| Напряжение питания | 5V ±10% |
| Memory size bits | 16384 |
| Вх. емкость | 6pF |
| Выходная емкость | 9pF |
| Output low current | 3.2mA |
| Output high current | -0.08mA / -2mA |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Chip select access time | 140ns |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.4V (at IOH=-2mA) or Ucc-0.4V (at IOH=-0.08mA) |
| Input leakage current low | -1µA |
| Output enable access time | 70ns |
| Output hold time after cs | 100ns |
| Output hold time after oe | 100ns |
| Input leakage current high | 1µA |
| Output leakage current low | -4µA |
| Supply current storage max | 40µA |
| Output leakage current high | 4µA |
| Address access time variant a | 100ns |
| Address access time variant b | 140ns |
| Programmability coefficient min | 0.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?