Документация
Оптопара LTV-817S-TA1-B
У поставщика
У поставщиков
7 027 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт11,50 ₽
Сумма1 150,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии7 000 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 159 — 10,15 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 150,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 150,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 150,00 ₽
Описание
Оптопара LTV-817S-TA1-B производства LITEON представляет собой стандартный оптрон с выходным фототранзистором. Компонент предназначен для гальванической развязки цепей управления и нагрузки, обеспечивая передачу сигнала без электрического контакта. Модель в SMD-исполнении подходит для автоматизированного монтажа в блоках питания, промышленной автоматике и бытовой технике.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 2000V |
| Тип | Фототранзисторная оптопара |
| Ток, А | 50 мА |
| CTR макс. | 260% |
| Мин. коэффициент передачи тока (CTR) | 130% |
| ЭСР HBM | 8000V |
| Тип монтажа | SMD |
| Класс MSL | 1 |
| Уровень MSL | 1 |
| Шаг выводов | 2.54mm |
| Ширина ленты | 16mm |
| Описание | Photocoupler, 1-channel, surface mount, CTR rank B |
| Артикул | LTV-817S-TA1-B |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | LITEON |
| Корпус | SOP-4 |
| Ctr condition | IF=5mA, VCE=5V |
| Лента и катушка | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Соответствие RoHS | Да |
| Одобр. безоп. | UL 1577, VDE DIN EN60747-5-5, CSA, CQC, Nordic Safety, BSI |
| Напр. изоляции | 5000 В (RMS) |
| Кол-во на катушке | 1000 |
| Количество каналов | 1 |
| Макс. прямой ток | 50mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.4V |
| Типовое прямое напряжение | 1.2V |
| Макс. обратный ток | 10μA |
| Макс. обратное напряжение | 6V |
| Шаг перфорации | 4mm |
| Прямой ток | 50 мА |
| Compartment pitch p2 | 2mm |
| Частота среза, тип. | 80kHz |
| Макс. прямой ток | 1A |
| Напряжение, В | 35 В |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Мин. ток коллектора | 2.5mA |
| Тип. граничная частота | 80kHz |
| Температура пайки | 260°C |
| Расстояние между отсеками F | 7.5mm |
| Время спада, макс. | 18μs |
| Время спада, тип. | 3μs |
| Время нарастания, макс. | 18μs |
| Время нарастания, тип. | 4μs |
| Количество в ленте и катушке | 1000pcs |
| Диапазон тока коллектора | 2.5-30mA |
| Условия времени отклика | VCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω |
| Макс. темп. хр. | 125°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Напряжение ESD MM | 2000V |
| Макс. паразитная емкость | 1pF |
| Плавающая ёмкость, тип. | 0.6pF |
| Сопротивление изоляции мин. | 5e10Ω |
| Тип. сопр. изоляции | 1e11Ω |
| Ширина корпуса | 4.58mm |
| Пиковый прямой ток макс. | 1A |
| Макс. емкость вывода | 250pF |
| Емкость вывода, тип. | 30pF |
| ESD напряжение HBM | 8000V |
| Прямое напряжение | IF=20mA |
| Макс. раб. темп. | 110°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Высота корпуса | 3.5mm |
| Длина корпуса | 6.5mm |
| Условие обратного тока | VR=4V |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Темновой ток коллектора макс. | 100nA |
| Коэф. передачи макс. | 600% |
| Мин. коэфф. передачи тока | 50% |
| Условия измерения тока коллектора | IF=5mA, VCE=5V |
| Частота среза, условие | VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω, -3dB |
| Макс. рассеиваемая мощность входа | 70mW |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW |
| Макс. напр. К-Э | 35V |
| Compartment to compartment p1 | 12mm |
| Макс. Uэк | 6V |
| Условия измерения плавающей ёмкости | V=0, f=1MHz |
| Условия измерения сопротивления изоляции | DC500V, 40-60% R.H. |
| Условия измерения ёмкости вывода | V=0, f=1kHz |
| Макс. Pк | 150mW |
| Условия темнового тока коллектора | VCE=20V, IF=0 |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 200°C/W |
| Прямое напряжение | 1.2 В |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 325°C/W |
| Условия пробоя коллектор-эмиттер | IC=0.1mA, IF=0 |
| Условия пробоя эмиттер-коллектор | IE=10μA, IF=0 |
| Условия насыщения коллектор-эмиттер | IF=20mA, IC=1mA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 35V |
| Мин. напряжение пробоя эмиттер-коллектор | 6V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.2V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 0.1V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?