+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
LTV-817S-TA1-B
Документация

Оптопара LTV-817S-TA1-B

Артикул:157248
У поставщика
ПроизводительLITEON
КатегорияОптопары
Ед. изм.шт
У поставщиков
680 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:680 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 44 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 17,25
от 1004,77
от 1 0004,07
Описание

Оптопара LTV-817S-TA1-B производства LITEON представляет собой стандартный оптрон с выходным фототранзистором. Компонент предназначен для гальванической развязки цепей управления и нагрузки, обеспечивая передачу сигнала без электрического контакта. Модель в SMD-исполнении подходит для автоматизированного монтажа в блоках питания, промышленной автоматике и бытовой технике.

Технические характеристики
ESD (мм)2000V
ТипФототранзисторная оптопара
Ток50 мА
Ctr max260%
Ctr min130%
ЭСР HBM8000V
Тип монтажаSMD
Класс MSL1
Шаг выводов2.54mm
ОписаниеPhotocoupler, 1-channel, surface mount, CTR rank B
АртикулLTV-817S-TA1-B
ПроизводительLITEON
Тип упаковкиSOP-4
КорпусSOP-4
МонтажSMD
Ctr conditionIF=5mA, VCE=5V
Соответствие RoHSДа
Одобр. безоп.UL 1577, VDE DIN EN60747-5-5, CSA, CQC, Nordic Safety, BSI
Напр. изоляции5000Vrms
Количество каналов1
Макс. прямой ток50mA
Макс. прямое напряжение1.4V
Типовое прямое напряжение1.2V
Макс. обратный ток10μA
Макс. обратное напряжение6V
Прямой ток50 мА
Напряжение35 В
Макс. ток коллектора50mA
Cut off frequency typ80kHz
Температура пайки260°C
Response time fall max18μs
Response time fall typ3μs
Response time rise max18μs
Response time rise typ4μs
Tape and reel quantity1000pcs
Collector current range2.5-30mA
Response time conditionVCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω
Макс. темп. хр.125°C
Мин. темп. хр.-55°C
Макс. паразитная емкость1pF
Floating capacitance typ0.6pF
Сопротивление изоляции мин.5e10Ω
Тип. сопр. изоляции1e11Ω
Package dimensions width4.58mm
Пиковый прямой ток макс.1A
Макс. емкость вывода250pF
Terminal capacitance typ30pF
Прямое напряжениеIF=20mA
Макс. раб. темп.110°C
Мин. раб. темп.-55°C
Package dimensions height3.5mm
Package dimensions length6.5mm
Reverse current conditionVR=4V
Темновой ток коллектора макс.100nA
Collector current conditionIF=5mA, VCE=5V
Cut off frequency conditionVCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω, -3dB
Макс. рассеиваемая мощность входа70mW
Макс. общая рассеиваемая мощность200mW
Макс. рассеиваемая мощность150mW
Макс. напр. К-Э35V
Макс. Uэк6V
Floating capacitance conditionV=0, f=1MHz
Isolation resistance conditionDC500V, 40-60% R.H.
Terminal capacitance conditionV=0, f=1kHz
Collector dark current conditionVCE=20V, IF=0
Тепловое сопр. переход-корпус200°C/W
Прямое напряжение1.2 В
Тепловое сопротивление переход-среда325°C/W
Collector emitter breakdown conditionIC=0.1mA, IF=0
Emitter collector breakdown conditionIE=10μA, IF=0
Collector emitter saturation conditionIF=20mA, IC=1mA
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер35V
Emitter collector breakdown voltage min6V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.2V
Тип. напряжение насыщения К-Э0.1V