Оптопара LTV-814S-TA1
У поставщика
У поставщиков
12 829 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:12 829 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 44 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15,80 |
| от 373 | 14,34 |
| от 746 | 13,35 |
| от 2 000 | 12,48 |
| от 3 000 | 11,91 |
Описание
Оптопара LTV-814S-TA1 от LITEON — одноканальный фотокоплер в компактном SMD-корпусе SOP-4. Устойчива к электростатическим разрядам до 8000 В (HBM) и 2000 В (MM), время нарастания/спада типовое 3–4 мкс. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике, блоках питания и интерфейсных модулях.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 2000V |
| Серия | LTV-8x4 |
| ЭСР HBM | 8000V |
| Корпус | SMDIP-4 |
| Каналы | 1 |
| Тип монтажа | SMD |
| Класс MSL | 1 |
| Уровень MSL | 1 |
| Tape wide | 16±0.3mm |
| Ширина ленты | 16±0.3mm |
| Описание | Photocoupler, 1-channel, surface mount |
| Артикул | LTV-814S-TA1 |
| Channel count | 1 |
| Esd rating mm | 2000V |
| Макс. время спада | 18µs |
| Тип. время спада | 3µs |
| Макс. время нарастания | 18µs |
| Тип. время нарастания | 4µs |
| Тип компонента | Photocoupler |
| Рейтинг ЭСР HBM | 8000V |
| Соотв. RoHS | Да |
| Время пайки | 10 seconds |
| Прямой ток | ±50mA |
| Соответствие RoHS | Да |
| Ctr rank options | A (50-150%), B (100-300%), or no mark (20-300%) |
| Одобр. безоп. | UL 1577, VDE DIN EN60747-5-5, CSA CA5A, Nordic Safety (FIMKO/NEMKO/SEMKO/DEMKO), BSI RoHS |
| Ток коллектора | 50mA |
| Напр. изоляции | 5000Vrms |
| Ctr test condition | IF=±1mA, VCE=5V |
| Количество каналов | 1 |
| Размеры упаковки | Высота: 3.5±0.3mm; Длина: 10.0±0.3mm; Шаг выводов: 2.54mm; Ширина вывода: 0.4±0.1mm; Width body: 6.5±0.3mm |
| Макс. прямой ток | ±50mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.4V |
| Типовое прямое напряжение | 1.2V |
| Halogen free option | Optional (marked with ●) |
| Quantities per reel | 1000 |
| Sprocket hole pitch | 4±0.1mm |
| Темп. хранения | -55°C to +125°C |
| Тестовый прямой ток | ±20mA |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Cut off frequency typ | 80kHz |
| Раб. температура | -50°C to +110°C |
| Температура пайки | 260°C for 10 seconds |
| Taping specifications | Ширина ленты: 16±0.3mm; Quantities per reel: 1000; Sprocket hole pitch: 4±0.1mm |
| Compartment distance f | 7.5±0.1mm |
| Response time fall max | 18µs |
| Response time fall typ | 3µs |
| Response time rise max | 18µs |
| Response time rise typ | 4µs |
| Compartment distance p1 | 12±0.1mm |
| Compartment distance p2 | 2±0.1mm |
| Distance of compartment | 2±0.1mm |
| Рассеиваемая мощность входа | 70mW |
| Pitch of sprocket holes | 4±0.1mm |
| Макс. темп. хр. | +125°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Breakdown voltage ce min | 35V |
| Breakdown voltage ec min | 6V |
| Макс. паразитная емкость | 1pF |
| Floating capacitance typ | 0.6pF |
| Сопротивление изоляции мин. | 5×10^10 Ω |
| Тип. сопр. изоляции | 1×10^11 Ω |
| Макс. емкость вывода | 250pF |
| Terminal capacitance typ | 30pF |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 35V |
| Emitter collector voltage | 6V |
| Макс. раб. темп. | +110°C |
| Мин. раб. темп. | -50°C |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Темновой ток коллектора макс. | 100nA |
| Коэф. передачи макс. | 300% |
| Мин. коэфф. передачи тока | 20% |
| Мощн. коллектора | 150mW |
| Response time test condition | VCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω |
| Макс. напр. К-Э | 35V |
| Макс. Uэк | 6V |
| Условия измерения прямого напряжения | IF=±20mA |
| Input terminal capacitance max | 250pF |
| Input terminal capacitance typ | 30pF |
| Cut off frequency test condition | VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω, -3dB |
| Breakdown voltage ce test condition | IC=0.1mA, IF=0 |
| Breakdown voltage ec test condition | IE=10µA, IF=0 |
| Floating capacitance test condition | V=0, f=1MHz |
| Isolation resistance test condition | DC500V, 40~60% R.H. |
| Terminal capacitance test condition | V=0, f=1kHz |
| Collector dark current test condition | VCE=20V, IF=0 |
| Current transfer ratio test condition | IF=±1mA, VCE=5V |
| Distance of compartment to compartment | 12±0.1mm |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 35V |
| Emitter collector breakdown voltage min | 6V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.2V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 0.1V |
| Collector emitter saturation test condition | IF=±20mA, IC=1mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?