+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Светодиод инфракрасный 940нм LTE-36B2L-ED

Артикул:956718
У поставщика
ПроизводительLITEON
У поставщиков
1 450 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 785,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 514,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 785,50 ₽
Описание

Инфракрасный светодиод LTE-36B2L-ED от LITEON излучает на длине волны 940 нм. Выполнен в стандартном круглом корпусе T1 3/4 (5 мм) и отличается высокой мощностью излучения благодаря технологии GaAlAs. Применяется в системах дистанционного управления, датчиках движения и охранной сигнализации.

Технические характеристики
Линзаwater clear
КорпусT1 3/4 (5mm)
Без свинцаДа
Тип монтажаTHT
Время спада30ns
Время нарастания30ns
Половина угла±10deg
ОписаниеInfrared Emitter 940nm GaAlAs
АртикулLTE-36B2L-ED
Расстояние между выводами2.54mm
Мощность излучения45mW
Угол обзора20deg
Соотв. RoHSДа
Спектральная ширина40nm
Макс. прямое напряжение1.65V
Мин. прямое напряжение1.3V
Типовое прямое напряжение1.4V
Макс. обратный ток10uA
Макс. обратное напряжение5V
Напряжение ЭСР2kV
Макс. рассеиваемая мощность185mW
Макс. сила излучения300mW/sr
Мин. сила излучения100mW/sr
Сила излучения, тип.170mW/sr
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Emission wavelength peak940nm
Макс. темп. перехода100°C
Диап. темп. хр.-40°C to +100°C
Макс. ударный прямой ток1A
Температура пайки выводов260°C max 5 seconds
Диап. раб. темп.-40°C to +85°C
Описание (англ.)infrared, 940nm emitting diode in GaAlAs technology with high radiant power
Постоянный прямой ток макс.100mA
Surge forward current pulse width100us
Temperature coefficient wavelength0.2nm/K
Тепловое сопротивление переход-среда230K/W
ТКС излучаемой мощности-0.5%/K
ТКС прямого напряжения-1.3mV/K

Заметили ошибку в описании или параметрах?