
Документация
LM258DT, SO8-150-1.27, Операционный усилитель, ST (арт. 210967)
У поставщика
ПроизводительST
У поставщиков
7 500 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:7 500 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,79 |
Описание
LM258DT — сдвоенный операционный усилитель от STMicroelectronics в корпусе SO-8 с шагом выводов 1,27 мм. Микросхема предназначена для работы с однополярным питанием, отличается низким потреблением тока и широким диапазоном входных синфазных напряжений. Применяется в цепях усиления сигналов, активных фильтрах, преобразователях и измерительных схемах, где важна стабильность параметров при малом энергопотреблении.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 200V |
| Тип | Операционный усилитель |
| ESD CDM | 1.5kV |
| ЭСР HBM | 300V |
| Корпус | SO-8 |
| Cmrr min | 70dB |
| Cmrr typ | 85dB |
| Тип монтажа | SMD |
| Топология | dual operational amplifier |
| Артикул | LM258DT |
| Compensation | internally frequency compensated |
| Производитель | ST |
| Корпус | SO8-150-1.27 |
| Монтаж | SMD |
| Package pitch | 1.27mm |
| Slew rate min | 0.3V/µs |
| Slew rate typ | 0.6V/µs |
| Bias current max | 150nA |
| Bias current typ | 20nA |
| Channel separation | 120dB |
| Макс. ток смещения | 30nA |
| Offset current typ | 2nA |
| Offset voltage max | 7mV |
| Offset voltage typ | 2mV |
| Макс. напр. пит. | 32V |
| Input noise voltage | 55nV/√Hz |
| Диап. вх. напр. | -0.3V to 32V |
| Number of amplifiers | 2 |
| Output voltage swing | 0V to Vcc-1.5V |
| Диапазон питания | 3V to 32V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 500mW |
| Тип. входной ток смещения | 20nA |
| Thermal resistance so8 | 125°C/W |
| Input common mode range | 0V to Vcc-1.5V |
| Output sink current min | 10mA |
| Output sink current typ | 20mA |
| Тип. входной ток смещ. | 2nA |
| Тип. напряжение смещения вх. | 2mV |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Offset current drift max | 300pA/°C |
| Offset current drift typ | 10pA/°C |
| Offset voltage drift max | 30µV/°C |
| Offset voltage drift typ | 7µV/°C |
| Supply current at 5v max | 1.2mA |
| Supply current at 5v typ | 0.7mA |
| Output current source min | 20mA |
| Output current source typ | 40mA |
| Output source current min | 20mA |
| Output source current typ | 40mA |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Supply current at 30v typ | 2mA |
| Суммарный коэффициент гармоник | 0.02% |
| Gain bandwidth product min | 0.7MHz |
| Gain bandwidth product typ | 1.1MHz |
| Input bias current max 25c | 150nA |
| Supply current per amp max | 1.2mA |
| Supply current per amp typ | 0.7mA |
| Диап. раб. темп. | -40°C to +105°C |
| Input offset current max 25c | 30nA |
| Input offset voltage max 25c | 7mV |
| Low level output voltage max | 20mV |
| Low level output voltage typ | 5mV |
| Supply voltage rejection min | 65dB |
| Supply voltage rejection typ | 100dB |
| High level output voltage min | 26V |
| High level output voltage typ | 27V |
| Large signal voltage gain min | 50V/mV |
| Large signal voltage gain typ | 100V/mV |
| Total harmonic distortion typ | 0.02% |
| Дифф. напр. макс. | 32V |
| Equivalent input noise voltage | 55nV/√Hz |
| Input offset current drift max | 300pA/°C |
| Input offset current drift typ | 10pA/°C |
| Input offset voltage drift max | 30µV/°C |
| Input offset voltage drift typ | 7µV/°C |
| КСС мин. | 70dB |
| Common mode rejection ratio typ | 85dB |
| Input common mode voltage range | 0V to Vcc-1.5V |
| High level output voltage min 2k | 26V |
| High level output voltage typ 2k | 27V |
| Input bias current max full temp | 200nA |
| Input offset current max full temp | 40nA |
| Input offset voltage max full temp | 9mV |
| Supply voltage rejection ratio min | 65dB |
| Supply voltage rejection ratio typ | 100dB |
| Thermal resistance junction to ambient so8 | 125°C/W |