+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Диод импульсный 100В 0.2А LL4148PF

Артикул:880723
У поставщика
ПроизводительSEMTECH ELECTRONICS
У поставщиков
6 912 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 912 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 518 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,33
от 1 1521,05
от 2 5000,82
от 5 0000,67
от 10 0000,59
Описание

Импульсный диод LL4148PF от SEMTECH ELECTRONICS предназначен для высокоскоростной коммутации. Компонент рассчитан на обратное напряжение до 100 В и прямой ток до 0,2 А, выпускается в миниатюрном корпусе MiniMELF (SOD-80). Применяется в импульсных блоках питания, цепях защиты и бытовой электронике.

Технические характеристики
КорпусMiniMELF (SOD-80)
Тип монтажаSMD
ОписаниеSilicon Epitaxial Planar Switching Diode, Fast switching diode in MiniMELF case
АртикулLL4148
Additional infoPower derating curve: Graph provided (Power Dissipation vs Ambient Temperature); Forward characteristics: Graph provided (IF vs VF) for Tj=25°C and Tj=100°C; Leakage current vs junction temperature: Graph provided (IR vs Tj) at VR=20V; Relative capacitance vs reverse voltage: Graph provided (Ctot(VR)/Ctot(0V) vs VR) at Tj=25°C, f=1MHz
CharacteristicsЁмкость: Max: 4pF; Test condition: at VR=0V, f=1MHz; Прямое напряжение: Max: 1V; Test condition: at IF=10mA; Ток утечки: At VR 20V: max 25nA; At VR 75V: max 5µA; At VR 20V Tj 150C: max 50µA; Время обратного восстановления: Max: 4ns; Test condition: IF=10mA to IR=1mA, Irr=0.1xIR, VR=6V, RL=100Ω; Rectification efficiency: Min: 0.45; Test condition: f=100MHz, VR=2V; Обратное пробивное напряжение: Min: 100V; Test condition: 100µA pulses; Подъем напряжения при включении: Max: 2.5V; Test condition: 50mA forward pulses, tp=0.1s, rise time <30ns, fp=5-100kHz; Термосопротивление переход-среда: 0.35 K/mW
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Предельные значенияОбратное напряжение: 75V; Рассеиваемая мощность: 500mW; Темп. перехода: 175°C; Макс. обратное напряжение: 100V; Диап. темп. хр.: -65 to +175°C; Средний выпрямленный прямой ток: 200mA; Неповтор. импульсный ток: T 1s: 0.5A; T 1ms: 1A; T 1us: 4A
Описание (англ.)DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80

Заметили ошибку в описании или параметрах?