Документация
Транзистор биполярный KTC9018 / NPN, 0.02А, 40В, TO-92
У поставщика
ПроизводительKEC
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
494 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:494 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 68 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,17 |
| от 72 | 9,17 |
| от 143 | 8,22 |
| от 400 | 7,52 |
| от 600 | 6,91 |
Описание
Транзистор биполярный KTC9018 производства KEC — это высокочастотный NPN-компонент в корпусе TO-92. Предназначен для работы в усилительных и генераторных каскадах радиочастотных устройств. Отличается низким уровнем шума и стабильностью параметров при малых токах коллектора.
Технические характеристики
| Тип | NPN Epitaxial Planar Transistor |
| Цоколевка | 1: Emitter; 2: Base; 3: Collector |
| Корпус | TO-92 |
| Особенности | Small Reverse Transfer Capacitance: Cre=0.65pF (Typ.), Low Noise Figure: NF=2.2dB (Typ.) at f=100MHz, High Transition Frequency: fT=800MHz (Typ.) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ревизия | 2011. 4. 4 Revision No: 3 |
| Компонент | KTC9018 |
| Применение | High Frequency Low Noise Amplifier, VHF Band Amplifier |
| Размеры мм | A: 4.70 MAX; B: 4.80 MAX; C: 3.70 MAX; D: 0.45; E: 1.00; F: 1.27; G: 0.85; H: 0.45; J: 14.00; K: 0.55 MAX; L: 2.30; M: 0.45 MAX; N: 1.00 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Предельные значения | Emitter current: -20mA; Ток коллектора: 20mA; Напряжение эмиттер-база: 4V; Темп. перехода: 150°C; Напряжение коллектор-база: 40V; Напряжение коллектор-эмиттер: 30V; Диап. темп. хр.: -55~150°C; Мощн. коллектора: 625mW |
| Электрические характеристики | Power gain: Min: 15dB; Symbol: Gpe; Test condition: VCE=6V, IE=-1mA, f=100MHz; Коэффициент шума: Max: 4.0dB; Typ: 2.2dB; Symbol: NF; Test condition: VCE=6V, IE=-1mA, f=100MHz; Коэф. усиления DC: Max: 198; Min: 40; Symbol: hFE; Classification: E: 40~59; F: 54~80; G: 72~108; H: 97~146; I: 130~198; Test condition: VCE=5V, IC=1mA; Частота перехода: Min: 500MHz; Typ: 800MHz; Symbol: fT; Test condition: VCE=10V, IC=8mA, f=100MHz; Ток отсечки эмиттера: Max: 0.1μA; Symbol: IEBO; Test condition: VEB=4V, IC=0; Ток отсечки коллектора: Max: 0.1μA; Symbol: ICBO; Test condition: VCB=40V, IE=0; Collector base time constant: Max: 30pS; Symbol: CC·rbb'; Test condition: VCE=6V, IE=-1mA, f=30MHz; Обратная проходная емкость: Max: 1.0pF; Typ: 0.65pF; Symbol: Cre; Test condition: VCE=6V, f=1MHz, IE=0 |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 40 V, 0.02 A, 0.625 W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?