Документация
КТ914А, транзистор, (90-92г)
У поставщика
ПроизводительЭлекс
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 3 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 910,80 |
| от 3 | 830,07 |
| от 30 | 663,98 |
Описание
Транзистор КТ914А производства компании «Элекс» — это кремниевый p-n-p прибор в металлокерамическом корпусе КТ-4-2 (TO-60) с жёсткими выводами и крепёжным винтом. Работает при напряжении до 28 В, обеспечивает выходную мощность от 2,5 до 7,2 Вт на частотах до 400 МГц. Применяется в радиочастотных усилителях и генераторах промышленной и связной аппаратуры.
Технические характеристики
| Тип | p-n-p |
| Вес | 6g (max) |
| Корпус | metal-ceramic with rigid leads and mounting screw |
| Материал | silicon |
| Тип монтажа | THT |
| Компонент | КТ914А |
| Корпус | КТ-4-2 (TO-60) |
| Напряжение питания | 28V |
| Диап. частот | up to 400MHz |
| Power gain 100MHz | 7.2 (min) at Uce=28V, Pout=7.2W |
| Power gain 400MHz | 2.5 (min) at Uce=28V, Pout=2.5W |
| Структура | PNP |
| Dc current gain hfe | 10 to 60 at Uce=5V, Ic=250mA |
| Max base current dc | 0.2A |
| Output power 100MHz | 7.2W (min) at Uce=28V |
| Output power 400MHz | 2.5W (min) at Uce=28V |
| Температура корпуса макс. | 125°C |
| Макс. рас. мощн. | 7W (at T_case <=40°C, dynamic mode) |
| Feedback time constant | 20ns (max) at Ucb=10V, Ie=30mA, f=5MHz |
| Critical current 100MHz | 250mA (min) at Uce=10V |
| Lead inductance typical | 4nH |
| Max collector current dc | 0.8A |
| Max emitter base voltage | 4V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон темп. окр. | -60 to +125°C |
| Collector efficiency 400MHz | 30% (min) at Uce=28V, Pout=2.5W |
| Max collector current pulse | 1.5A (pulse width <100µs, duty cycle <10%) |
| Reverse emitter current 25C | 0.1mA (max) at Ueb=4V |
| Emitter junction capacitance | 170pF (max) at Ueb=0 |
| Reverse emitter current 125C | 0.2mA (max) at same condition |
| Base case capacitance typical | 1.3pF |
| Collector junction capacitance | 12pF (max) at Ucb=28V, f=5MHz |
| Emitter base saturation voltage | 0.95V (max) at Ic=250mA, Ib=50mA (typical 0.9V) |
| Emitter case capacitance typical | 1.3pF |
| Max collector emitter voltage dc | 65V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 16°C/W |
| Collector case capacitance typical | 1.8pF |
| High frequency current gain modulus | 3 (min) at Uce=28V, Ic=200mA, f=100MHz |
| Max collector emitter voltage pulse | 75V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6V (max) at Ic=250mA, Ib=50mA |
| Reverse collector emitter current 25C | 2mA (max) at Uce=65V, Rbe=100Ω |
| Reverse collector emitter current 125C | 5mA (max) at same condition |
| Коэф-т передачи тока hfe | 10 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?