Документация
Транзистор КТ857А
У поставщика
У поставщиков
130 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:130 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 19,67 |
| от 10 | 11,49 |
| от 100 | 5,85 |
Описание
Транзистор КТ857А производства «Кремний» — кремниевый биполярный транзистор средней мощности. Предназначен для работы в усилительных и переключающих схемах. Отличается высокой надежностью и стабильностью параметров в широком диапазоне температур.
Технические характеристики
| Масса | ≤3 g |
| Тип | PNP Silicon Switching Transistor |
| Примечания | Measures to prevent parasitic oscillation must be taken. |
| Корпус | Plastic with rigid leads (likely TO-220) |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 0.1 to 0.3 µs typical, max 1 µs (Vce=50V, Ic=5A, Ib=0.5A, Vbe=-5V) |
| Структура | epitaxial-planar |
| Артикул | КТ857А |
| Производитель | AO Kremniy, Bryansk; Iskra, Ulyanovsk |
| Время хранения | 0.1 to 1 µs typical, max 2.5 µs (Vce=50V, Ic=5A, Ib=0.5A, Vbe=-5V) |
| Корпус | KT-28 |
| Base current pulse | 3A |
| Static sensitivity | 2000V (maximum allowed static potential) |
| Структура | NPN |
| Hfe мин. | 7.5 (Vce=1V, Ic=3A) |
| Усл. пайки | Min distance from case 5mm; case temp ≤100°C; iron temp ≤280°C for ≤2.5s; min solder temp 235°C |
| Base current continuous | 2A |
| Collector current pulse | 10A |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Макс. темп. перехода | +150°C |
| Saturation voltage be max | 1.25V (Ic=3A, Ib=0.4A) |
| Saturation voltage ce max | 1V (Ic=3A, Ib=0.4A) |
| Напряжение коллектор-база макс. | 250V (Tj=+100°C) |
| Диап. раб. темп. | -55 to +100°C |
| Reverse emitter current max | 1 mA (Veb=6V) |
| Непрерывный ток коллектора | 7A |
| Power dissipation continuous | 60W (Tc=-55 to +25°C; derate above 25°C per formula Pmax=(150-Tc)/Rth) |
| Макс. напр. К-Э | 250V (Rbe≤100Ω, Tj=+100°C; derated linearly to 100V at +150°C) |
| Reverse collector current max | 5 mA (Vcb=250V) |
| High frequency current gain min | 3.3 (Vce=10V, Ic=0.5A, f=3MHz) |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 150V (Ic=0.1A, L=25mH) |
| Коэф-т передачи тока hfe | 7.5 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 7 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?