Документация
Транзистор КТ801Б
У поставщика
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,07 |
| от 30 | 35,60 |
| от 300 | 25,46 |
Описание
Транзистор КТ801Б производства «Элекс» — мощный биполярный кремниевый транзистор структуры p-n-p. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, ключевых и импульсных схемах. Отличается высокой допустимой мощностью рассеивания и способностью коммутировать значительные токи. Выполнен в металлостеклянном корпусе, обеспечивающем эффективный отвод тепла.
Технические характеристики
| F T | >=10 MHz at V_CB=10V, I_C=0.3A |
| HFE | 30 to 150 at V_CE=5V, I_C=1A |
| Масса | 4g max |
| Тип | p-n-p silicon switching transistor |
| I cex | <=10mA at R_BE<=100 Ohm, V_CE=60V, T=-40..+25°C; <=20mA at V_CE=30V, T=+85°C |
| I ebo | <=2mA at V_EB=2.5V |
| T amb | -60°C to +85°C |
| I b max | 0.4A |
| I c max | 2A |
| P c max | 5W at T=-40..+55°C; 2W at T=+85°C; linear derating between +55°C and +85°C |
| Корпус | metal-glass case with flexible leads |
| T j max | 150°C |
| Тип монтажа | THT |
| V ce max | 60V at R_BE<=100 Ohm, T=-40..+55°C; 30V at T=+85°C |
| V ce sat | <=2V at I_C=1A, I_B=0.2A |
| V eb max | 2.5V |
| Производитель | AO Elex, Alexandrov |
| Корпус | КТЮ-3-9 |
| Структура | NPN |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 60 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?