Документация
Транзистор КТ683Б
У поставщика
У поставщиков
1 945 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 945 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 39,72 |
| от 51 | 36,34 |
| от 100 | 33,56 |
| от 300 | 31,46 |
| от 500 | 29,90 |
Описание
Транзистор КТ683Б производства предприятия «Кремний» — это кремниевый биполярный транзистор структуры p-n-p. Предназначен для работы в импульсных и переключающих схемах, а также в усилительных каскадах. Отличается высокой надёжностью и стабильностью параметров в широком диапазоне температур.
Технические характеристики
| Масса | 1g |
| Корпус | plastic case with rigid leads |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | Silicon planar n-p-n universal transistor for amplifiers and switching devices |
| Артикул | КТ683Б |
| Время включения | 0.1us |
| Время выключения | 0.2us |
| Тип транзистора | n-p-n |
| Boundary voltage | 80V |
| Max base current | 0.2A |
| Emitter capacitance | 65pF |
| Темп. перехода | +150°C |
| Частота перехода | 50MHz |
| Collector capacitance | 15pF |
| Макс. ток коллектора | 1A |
| Год выпуска | 2024 |
| Turn on time conditions | Uke=40V, Ik=0.2A, Ib=40mA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Max base emitter voltage | 7V |
| Turn off time conditions | Uke=40V, Ik=0.2A, Ib=40mA |
| Диапазон темп. окр. | -60...+125°C |
| Collector reverse current | 1uA |
| Макс. напряжение коллектор-база | 120V |
| Boundary voltage conditions | Ie=30mA |
| Max pulse collector current | 2A |
| Power derating with heatsink | 0.064W/°C |
| Описание (англ.) | NPN 80В/1А/8Вт f<40МГц, Кус.=80-240 |
| Static current transfer ratio | 80...240 |
| Напряжение пробоя база-эмиттер | 7V |
| Emitter capacitance conditions | Ueb=0.5V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1V |
| Power derating without heatsink | 0.0096W/°C |
| Transition frequency conditions | Uke=10V, Ik=50mA |
| Collector capacitance conditions | Ukb=10V |
| Max power dissipation conditions | Tk=-60...+25°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 120V |
| Max power dissipation with heatsink | 8W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.45V |
| Collector reverse current conditions | Ukb=90V |
| Max collector emitter voltage rbe 3k | 120V |
| Max collector emitter voltage rbe inf | 80V |
| Max power dissipation without heatsink | 1.2W |
| Max pulse collector current conditions | Ti=1ms |
| Static current transfer ratio conditions | Uke=10V, Ik=0.15A |
| Base emitter breakdown voltage conditions | Ie=0.1mA |
| Base emitter saturation voltage conditions | Ik=0.15A, Ib=15mA |
| Collector emitter breakdown voltage conditions | Ik=0.1mA, Rbe=3kOhm |
| Условия измерения Vce(sat) | Ik=0.15A, Ib=15mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?