Документация
КТ645Б, транзистор
У поставщика
ПроизводительИнтеграл
У поставщиков
460 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:460 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 150 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15,53 |
| от 50 | 5,22 |
| от 500 | 2,32 |
Описание
Транзистор КТ645Б производства «Интеграл» — кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный NPN-ключ. Работает при напряжении до 40 В и токе до 300 мА, мощность рассеивания — 500 мВт. Выпускается в корпусе TO-92 для монтажа в отверстия. Подходит для усилительных и переключающих цепей в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Ft | 250MHz |
| C cb | 5pF |
| Тип | Bipolar NPN |
| Tau k | 120ps |
| Макс. ток коллектора | 300mA |
| Макс. Pc | 500mW |
| Pp max | 1000mW |
| Мин. HFE | 80 |
| Корпус | TO-92 |
| Vce max | 40V |
| Veb max | 5V |
| Icbo макс. | 10µA |
| Материал | Silicon |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | NPN |
| VCBO макс. | 40V |
| Vceo min | 30V |
| Компонент | КТ645Б |
| Технология | Epitaxial-planar |
| Ic peak max | 600mA |
| Vbe нас. макс. | 1.2V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.05V |
| Корпус | KT-26 |
| T junction max | 150°C |
| Ft test condition | Uce=10V, Ic=50mA |
| Hfe test condition | Ucb=10V, Ie=2mA |
| Структура | NPN |
| C cb test condition | Ucb=10V, f=10MHz |
| Icbo test condition | Ucb=40-60V, Ie=0 |
| Tau k test condition | Ucb=5V, Ie=5mA, f=5MHz |
| Vbe sat test condition | Ic=150mA, Ib=15mA |
| Vce sat test condition | Ic=10mA, Ib=1mA |
| Коэф-т передачи тока hfe | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?