Документация
КТ645А, транзистор биполярный
У поставщика
ПроизводительТранзистор
У поставщиков
1 500 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 150 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17,60 |
| от 50 | 5,98 |
| от 500 | 3,11 |
Описание
КТ645А — биполярный NPN-транзистор производства «Транзистор». Выполнен в корпусе TO-92 (КТ-26) для монтажа в отверстия, рассчитан на ток до 300 мА и напряжение до 60 В. Подходит для усиления и переключения сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Корпус | TO-92 |
| Материал | Silicon |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | NPN |
| Время хранения | 50ns |
| Корпус | KT-26 |
| Коэф. усиления DC | 20 to 200 |
| Конфиг. выводов | 1: Emitter, 2: Base, 3: Collector |
| Foreign prototypes | BC547, BC238 |
| Структура | NPN |
| Частота перехода | 250MHz |
| Collector capacitance | 5pF |
| Time constant feedback | 120ps |
| Ток отсечки коллектора | 10µA |
| Max collector current dc | 300mA |
| Max emitter base voltage | 4V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Max power dissipation dc | 500mW |
| Max collector base voltage | 60V |
| Max collector current pulse | 600mA |
| Max power dissipation pulse | 1000mW |
| Max collector emitter voltage | 50V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.2V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?