+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
КТ605БМ
Документация

КТ605БМ, транзистор биполярный NPN канал 100мА 0.4Вт КТ-27-2 (TO-126)

Артикул:1207052
У поставщика
ПроизводительВЗПП
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 100 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 122,77
от 10012,63
от 1 0007,25
Описание

Транзистор биполярный КТ605БМ производства ВЗПП. Это кремниевый PNP-прибор в корпусе КТ-27-2 (TO-126) с максимальным током коллектора 100 мА и рассеиваемой мощностью 0,4 Вт. Рабочее напряжение коллектор-эмиттер достигает 250 В, граничная частота — от 40 МГц. Применяется в усилителях, импульсных и высокочастотных устройствах.

Технические характеристики
Ft40 MHz min
Cib50pF max (at Veb=0V, f=2MHz)
Cob7pF max (at Vcb=40V, f=2MHz)
Hfe30 to 120 (at Ie=20mA, Vce=40V)
Iceo20µA max (at Vce=250V)
Iebo50µA max (at Veb=5V)
Масса1g max
Макс. ток коллектора100mA
Макс. Tj+150°C
Vce sat8V max (at Ic=20mA, Ib=2mA)
МатериалSilicon
Тип монтажаTHT
ПолярностьPNP
Макс. Ptot0.4W (at T=25°C); 0.17W (at T=100°C)
VCBO макс.300V (at T=100°C); 150V (at T=150°C)
Vceo макс.250V (at T=100°C, Rbe=1kΩ); 125V (at T=150°C, Rbe=1kΩ)
Vebo макс.5V (at T=100°C); 2.5V (at T=150°C)
Структураmesa-planar
АртикулКТ605БМ
Применениеamplifiers, pulse and switching high-frequency devices
Ic pulse max200mA
Тип упаковкиplastic (KT-27-2 / TO-126)
КорпусKT-27-2
Время пайки макс.5s
СтруктураNPN
Lead bend angle max90°
Lead bend radius min1.5mm
Rth junction ambient300 °C/W
Температура пайки макс.+260°C
Диап. раб. темп.-40°C to +150°C
Lead bend distance from body min3mm
Soldering distance from body min5mm
Напр-е к-э (Uкэо макс),В250
Коэф-т передачи тока hfe 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Заметили ошибку в описании или параметрах?