Документация
КТ502Г, транзистор биполярный
У поставщика
ПроизводительДалекс
У поставщиков
110 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:110 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 12,42 |
| от 50 | 7,42 |
| от 500 | 3,78 |
Описание
КТ502Г — биполярный транзистор структуры PNP от производителя Далекс. Выполнен в корпусе KT-26, рассчитан на максимальный ток коллектора 0,15 А, коэффициент передачи тока hfe составляет 80. Подходит для применения в усилительных и переключающих схемах бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | BJT |
| Цоколевка | 1: emitter; 2: base; 3: collector |
| Корпус | КТ-26 (ТО-92) |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | PNP |
| Компонент | КТ502Г |
| Описание | p-n-p silicon epitaxial-planar bipolar transistor |
| Корпус | KT-26 |
| Структура | PNP |
| Частота перехода | 5MHz |
| Collector capacitance | 50pF |
| Макс. ток коллектора | -150mA |
| Dc current gain range | 80-240 |
| Макс. рассеиваемая мощность | 350mW |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -60V |
| Collector pulse current max | -300mA |
| Диап. раб. темп. | -45 to 100°C |
| Макс. ток отсечки коллектора | -1µA |
| Макс. напр. К-Э | -40V |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.2V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -40V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.6V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?