Документация
КТ502Е, транзистор биполярный PNP канал 80В 0.15А 0.35Вт TO92-3
У поставщика
ПроизводительДалекс
У поставщиков
1 100 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 100 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,88 |
| от 50 | 16,25 |
| от 500 | 12,13 |
Описание
Транзистор биполярный PNP от производителя Далекс. Работает при напряжении до 80 В, токе до 0,15 А и мощности 0,35 Вт, выпускается в корпусе TO-92 для монтажа в отверстия. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar PNP transistor |
| Цоколевка | 1: emitter; 2: base; 3: collector |
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | PNP |
| Компонент | КТ502Е |
| Корпус | KT-26 |
| Структура | PNP |
| Макс. коэф. усиления DC | 120 |
| Hfe мин. | 40 |
| Частота перехода | 5MHz |
| Collector capacitance | 50pF |
| Max collector current | -150mA |
| Макс. рас. мощн. | 350mW |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Max emitter base voltage | -5V |
| Max collector base voltage | -80V |
| Max pulse collector current | -300mA |
| Диап. раб. темп. | -45 to 100°C |
| Max collector emitter voltage | -80V |
| Collector base leakage current | -1µA |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.2V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.6V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?