Документация
КТ361Г, транзистор биполярный
У поставщика
ПроизводительНИИПП Томск
У поставщиков
5 700 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:5 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 48,65 |
| от 1 000 | 4,35 |
| от 10 000 | 2,90 |
Описание
Транзистор биполярный КТ361Г производства НИИПП Томск — кремниевый p-n-p усилительный элемент. Работает при токе коллектора до 50 мА, напряжении до 35 В и рассеивает до 150 мВт. Выполнен в пластмассовом корпусе KT-13 с гибкими выводами для монтажа в отверстия. Применяется в усилительных каскадах бытовой и промышленной электроники.
Технические характеристики
| Масса | 0.3g |
| Тип | КТ361Г |
| Корпус | пластмассовый корпус с гибкими выводами (THT) |
| Материал | Si |
| Полярность | pnp |
| Описание | Биполярный транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный, усилительный |
| Корпус | KT-13 |
| Конфигурация | single |
| Lead bend cycles | 3 |
| Lead bend radius | 1.5-2mm |
| Структура | PNP |
| Макс. коэф. усиления DC | 350 |
| Hfe мин. | 50 |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW |
| Base emitter voltage max | 4V |
| Макс. темп. перехода | 120°C |
| Мин. частота перехода | 250MHz |
| Напряжение коллектор-база макс. | 35V |
| Dc current gain conditions | V_KB=10V, I_c=1mA, T=+25°C |
| Feedback time constant typ | 500ps |
| Power dissipation max 100c | 30mW |
| Диап. раб. темп. | -60...+100°C |
| Макс. напр. К-Э | 35V |
| Collector base capacitance max | 7pF |
| Soldering distance from body min | 2mm |
| Feedback time constant conditions | V_KB=10V, I_e=5mA, 5MHz |
| Reverse current collector base max | 1µA |
| Collector base capacitance conditions | V_KB=10V |
| Reverse current collector emitter max | 1µA |
| Reverse current collector base conditions | V_KB=10V, T=+25°C |
| Коэф-т передачи тока hfe | 50 |
| Reverse current collector emitter conditions | R_BE=10kΩ, V_CE=max |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?