+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Главная›Транзисторы›Транзисторы биполярные (BJTs)›КТ3151Д9
КТ3151Д9
Документация
Даташит

Биполярный транзистор NPN 30В 100мА 200мВт Кус не менее 80 100МГц

Артикул:764921
У поставщика
ПроизводительДалекс
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
185 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:185 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 80 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 18,82
от 698,23
от 1387,57
от 2766,85
от 5516,23
Описание

Биполярный транзистор NPN от производителя Далекс. Работает при напряжении до 60 В, токе до 0,4 А и мощности 0,5 Вт, частота переключения достигает 200 МГц. Выпускается в корпусе SOT-23. Подходит для коммутации сигналов и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
Ft мин.100MHz
Ib max30mA
Макс. ток коллектора100mA
Макс. Pc200mW
Макс. Tj+125°C
Мин. HFE80
Корпуспластмассовый корпус с жесткими выводами
Ccbo max15pF
Cebo max20pF
Icbo макс.1uA
Макс. IEBO10uA
Масса макс.0.1g
МатериалSilicon
Тип монтажаВыводной
VCBO макс.30V
Vceo макс.30V
Vebo макс.5V
КомпонентКТ3151Д9
Структураepitaxial-planar n-p-n
ОписаниеБиполярный транзистор NPN 30В 100мА 200мВт Кус не менее 80 100МГц
Pc derating(125 - T)/500 W
Vbe нас. макс.1.2V
Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6V
Ic pulse max150mA
T ambient max+85°C
T ambient min-60°C
Тип транзистораNPN
Ft test conditionsVCB=5V, IE=1mA
Время пайки макс.4s
Hfe test conditionsVCE=1V, IE=0.04mA
Ccbo test conditionsVCB=10V
Cebo test conditionsVEB=0.5V
Icbo test conditionsVCE=30V, RBE=10kOhm
Iebo test conditionsVEB=0.5V
Примечаниеперепр 2018
Год выпуска2011
Soldering distance min0.15mm
Vbe sat test conditionsIC=10mA, IB=1mA
Vce sat test conditionsIC=10mA, IB=1mA
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Температура пайки макс.265°C
Описание (англ.)NPN 60В 0,4А 0,5Вт 200 МГц Кус=40-200

Заметили ошибку в описании или параметрах?