Документация
Транзистор КТ3129Г9
У поставщика
У поставщиков
2 890 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 890 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 37,23 |
| от 54 | 34,01 |
| от 108 | 31,36 |
| от 215 | 29,37 |
| от 430 | 27,88 |
Описание
Транзистор КТ3129Г9 производства компании «Далекс» — биполярный кремниевый прибор средней мощности. Предназначен для работы в ключевых и усилительных каскадах радиоэлектронной аппаратуры. Отличается высокой надежностью и стабильностью параметров в широком диапазоне температур.
Технические характеристики
| Масса | 0.1g |
| Тип | p-n-p |
| Корпус | пластмассовый корпус с жесткими выводами |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор структуры p-n-p универсальный |
| Артикул | КТ3129Г9 |
| Производитель | АООТ «Элекс», г. Александров |
| Boundary voltage | Min: 20V; Conditions: Ik=10mA |
| Усл. пайки | Max duration: 3s; Max temperature: 260C; Min distance from case: 0.15mm |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. рас. мощн. | At 85C: 30mW; At -60 to 25C: 75mW |
| Год выпуска | 2021 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Макс. темп. перехода | 125C |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 5V |
| Collector reverse current | Max: 1uA; Conditions: Ukb=Ukb_max |
| Макс. напряжение коллектор-база | 30V |
| Max pulse collector current | Value: 200mA; Conditions: ti=1us, duty=10 |
| Max pulse power dissipation | At 85C: 75mW; At -60 to 25C: 100mW |
| Диап. раб. темп. | -60C to +85C |
| Описание (англ.) | PNP 30В 0,1А 0,075Вт 200МГц Кус=200-500 |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | Value: 20V; Conditions: Rbe=1kOhm |
| Static current transfer ratio | At 25C: 200...500; At 85C: 200...1000; Conditions: Uke=5V, Ie=2mA |
| Collector junction capacitance | Value: 7.1...12pF; Conditions: Ukb=10V |
| Напр. нас. база-эмиттер | Max: 1.3V; Conditions: Ik=10mA, Ib=1mA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 1.3C/mW |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Max: 0.2V; Conditions: Ik=10mA, Ib=1mA |
| High frequency current transfer ratio | Value: 2...2.5; Conditions: Uke=5V, Ie=10mA, f=100MHz |
Заметили ошибку в описании или параметрах?