Документация
Транзистор КТ3129А9
У поставщика
У поставщиков
515 шт.
Норм. уп.: 150
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:514 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 34,14 |
| от 59 | 31,13 |
| от 117 | 28,66 |
| от 233 | 26,78 |
| от 466 | 25,39 |
Склад 12
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 150
Минимальная партия: 150 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 20,70 |
| от 150 | 8,45 |
| от 1 500 | 4,31 |
Описание
Транзистор биполярный КТ3129А9 производства компании «Далекс» предназначен для работы в ключевых и усилительных схемах. Отличается высокой надёжностью и стабильностью параметров в заданном диапазоне рабочих температур. Применяется в радиоэлектронной аппаратуре промышленного и бытового назначения.
Технические характеристики
| Масса | <=0.1g |
| Тип | PNP silicon |
| Корпус | plastic case with rigid leads (through-hole) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | КТ3129А9 |
| Пайка | Max duration: 3s; Max temperature: 260C; Min distance from case: 0.15mm |
| Описание | Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор структуры p-n-p универсальный |
| Производитель | Elex |
| Boundary voltage | Min: 40V; Conditions: Ik=10mA |
| Структура | PNP |
| Усл. пайки | 260°C for 3s, not closer than 0.15mm from body |
| Collector capacitance | 7.1...12pF |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. рас. мощн. | At 85C: 30mW; At -60 to 25C: 75mW |
| Год выпуска | 2018 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Макс. темп. перехода | +125°C |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 5V |
| Диапазон темп. окр. | -60...+85°C |
| Collector reverse current | Max: 1uA; Conditions: Ukb=Ukb_max |
| Макс. напряжение коллектор-база | 50V |
| Max pulse collector current | 200mA |
| Диап. раб. темп. | -60C...+85C |
| Max pulsed collector current | Value: 200mA; Conditions: ti=1us, duty=10 |
| Max pulsed power dissipation | At 85C: 75mW; At -60 to 25C: 100mW |
| Описание (англ.) | PNP 50В 0,1А 0,075Вт 200МГц Кус=30-120 |
| Collector reverse current max | 1µA |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 40V |
| Collector junction capacitance | Value: 7.1...8...12pF; Conditions: Ukb=10V |
| Max constant collector current | 100mA |
| Напр. нас. база-эмиттер | Max: 1.3V; Conditions: Ik=10mA, Ib=1mA |
| Max pulse power dissipation 25C | 100mW |
| Max pulse power dissipation 85C | 75mW |
| Static current transfer ratio oe | At 25C: 30...120; At 85C: 30...300; Conditions: Uke=5V, Ie=2mA |
| Static current transfer ratio 25C | 30...120 |
| Static current transfer ratio 85C | 30...300 |
| Max constant power dissipation 25C | 75mW |
| Max constant power dissipation 85C | 30mW |
| Макс. Uбэ нас. | 1.3V |
| High frequency current gain modulus | 2.0...2.5 |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 1.3 °C/mW |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Max: 0.2V; Conditions: Ik=10mA, Ib=1mA |
| High frequency current transfer ratio | Value: 2...2.2...2.5; Conditions: Uke=5V, Ie=10mA, f=100MHz |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.2V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?